[发明专利]光检测装置

说明书

实施方式的光检测装置是设定有相邻的第一单元和第二单元的光检测装置。所述光检测装置具备：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，设置于所述第一半导体层上；第一构件，设置于所述第一单元与所述第二单元之间，由与所述第一半导体层及所述第二半导体层不同的材料构成；第二构件，设置于所述第一构件与所述第一单元之间，由与所述第一半导体层及所述第二半导体层不同的材料构成；以及第三构件，设置于所述第一构件与所述第二单元之间，由与所述第一半导体层及所述第二半导体层不同的材料构成。

(关联申请)

本申请享受以日本专利申请2019-50629号(申请日：2019年3月19日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请来包括基础申请的全部内容。

技术领域

实施方式涉及一种光检测装置。

背景技术

以往以来，作为检测微弱的光的光检测装置，开发了排列有多个单元(cell)且针对每个单元设置有雪崩光电二极管(APD)的SiPM(Silicon Photomultiplier：硅光电子倍增管)。在这样的光检测装置中也要求检测精度的提高。

发明内容

实施方式提供一种检测精度高的光检测装置。

实施方式所涉及的光检测装置是设定有相邻的第一单元和第二单元的光检测装置。所述光检测装置具备：第一导电类型的第一半导体层；第二导电类型的第二半导体层，设置于所述第一半导体层上；第一构件，设置于所述第一单元与所述第二单元之间，由与所述第一半导体层及所述第二半导体层不同的材料构成；第二构件，设置于所述第一构件与所述第一单元之间，由与所述第一半导体层及所述第二半导体层不同的材料构成；第三构件，设置于所述第一构件与所述第二单元之间，由与所述第一半导体层及所述第二半导体层不同的材料构成。

附图说明

图1是表示第一实施方式所涉及的光检测装置的平面图。

图2是表示第一实施方式所涉及的光检测装置的局部放大平面图。

图3是基于图2所示的A-A’线的截面图。

图4是表示第一实施方式所涉及的光检测装置的元件分离区域的局部放大截面图。

图5是表示第一实施方式所涉及的光检测装置的电路图。

图6是表示第一实施方式所涉及的光检测装置的动作的截面图。

图7是表示第一实施方式的变形例所涉及的光检测装置的截面图。

图8是表示第二实施方式所涉及的光检测装置的截面图。

图9是表示第二实施方式所涉及的光检测装置的动作的截面图。

图10是表示第二实施方式的变形例所涉及的光检测装置的截面图。

图11A是表示第三实施方式所涉及的光检测装置的平面图，图11B是基于图11A所示的B-B’线的截面图。

图12是表示第四实施方式所涉及的光检测装置的平面图。

图13是表示第五实施方式所涉及的光检测装置的平面图。

图14A和图14B是横轴取二次光子的波长且纵轴取元件分离区域中的光的反射率来表示第一试验例中的光的反射率的仿真结果的曲线图。

图15A和图15B是横轴取二次光子的波长且纵轴取元件分离区域中的光的反射率来表示第一试验例中的光的反射率的仿真结果的曲线图。

图16是横轴取二次光子的波长且纵轴取元件分离区域中的光的反射率来表示第二试验例中的光的反射率的仿真结果的曲线图和表。