[发明专利]光检测装置

权利要求书

1.一种光检测装置，设定有相邻的第一单元和第二单元，具备：

第一导电类型的第一半导体层；

第二导电类型的第二半导体层，设置于所述第一半导体层上；

第一构件，设置于所述第一单元与所述第二单元之间，由与所述第一半导体层及所述第二半导体层不同的材料构成；

第二构件，设置于所述第一构件与所述第一单元之间，由与所述第一半导体层及所述第二半导体层不同的材料构成；

第三构件，设置于所述第一构件与所述第二单元之间，由与所述第一半导体层及所述第二半导体层不同的材料构成。

2.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

所述第一构件、所述第二构件以及所述第三构件由电介质构成。

3.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

所述第一构件的形状是分别包围所述第一单元和所述第二单元的格子状。

4.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

所述第二构件包围所述第一单元，所述第三构件包围所述第二单元。

5.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

在包括所述第一单元和所述第二单元的截面中，所述第一构件、所述第二构件以及所述第三构件周期性地排列。

6.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

所述第一构件的两侧面、所述第二构件的两侧面以及所述第三构件的两侧面与将所述第一单元的中心与所述第二单元的中心连结的直线正交。

7.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

所述第二半导体层具有：

第一区域，与所述第一半导体层相接；

第二区域，设置于所述第一区域上，杂质浓度低于所述第一区域的杂质浓度；

第三区域，设置于所述第二区域上，杂质浓度高于所述第二区域的杂质浓度，

所述第一构件的下端、所述第二构件的下端以及所述第三构件的下端位于比所述第二区域与所述第三区域的界面靠下方的位置。

8.根据权利要求7所述的光检测装置，其中，

所述第一构件的下端、所述第二构件的下端以及所述第三构件的下端位于比所述第一半导体层与所述第二半导体层的界面靠下方的位置。

9.根据权利要求7所述的光检测装置，其中，

在将所述第二半导体层中的所述第一构件与所述第二构件之间的部分的宽度以及所述第二半导体层中的所述第一构件与所述第三构件之间的部分的宽度分别设为d，将所述第二半导体层对于入射到所述第一单元或所述第二单元的光的折射率设为n₂，将m₂设为0以上的整数时，所述宽度d满足下述数式，

10.根据权利要求1所述的光检测装置，其中，

所述第一半导体层具有：

第一区域；

第二区域，设置于所述第一区域上，杂质浓度低于所述第一区域的杂质浓度；

第三区域，设置于所述第二区域上，与所述第二半导体层相接，杂质浓度高于所述第二区域的杂质浓度，

所述第一构件的下端、所述第二构件的下端以及所述第三构件的下端位于比所述第三区域与所述第二半导体层的界面靠下方的位置。

11.根据权利要求10所述的光检测装置，其中，

所述第一构件的下端、所述第二构件的下端以及所述第三构件的下端位于比所述第一区域与所述第二区域的界面靠下方的位置。