[发明专利]一种高环路增益双环负反馈的带隙基准电路

权利要求书

1.一种高环路增益双环负反馈的带隙基准电路，其特征在于，包括第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、第三NPN型三极管、第四NPN型三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第三电容、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和补偿网络，

第一NPN型三极管的基极连接第一电阻的一端、第二电阻的一端和第三电阻的一端，其集电极连接第二NPN型三极管的基极、第三NPN型三极管的基极和第一电阻的另一端，其发射极连接第二NPN型三极管的发射极并通过第四电阻后接地；

第四NPN型三极管的基极连接第二NPN型三极管的集电极、第二电阻的另一端和第三电容的一端，其集电极连接第三NMOS管的源极，其发射极连接第三NPN型三极管的发射极并接地；

第二NMOS管的栅极连接第三NMOS管的栅极、第一NMOS管的源极、第三电容的另一端和第三电阻的另一端并作为所述带隙基准电路的输出端，其漏极连接第一PMOS管的栅极和漏极以及第二PMOS管的栅极，其源极连接第三NPN型三极管的集电极；

第三PMOS管的栅漏短接并连接第四PMOS管的栅极和第一PMOS管的源极，其源极连接第四PMOS管的源极和第一NMOS管的漏极并连接电源电压；

第二PMOS管的源极连接第四PMOS管的漏极，其漏极连接第一NMOS管的栅极和第三NMOS管的漏极；

所述补偿网络接在第一NMOS管的栅极和地之间；

第一NPN型三极管、第二NPN型三极管、第三NPN型三极管、第四NPN型三极管的发射结面积比为1:N:1:1，N为2～8之间的整数；

第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻为同一类型的电阻，其中第一电阻、第二电阻、第四电阻的阻值之比为1:1:(1/k_R)，常数k_R的取值由使第三NPN型三极管和第四NPN型三极管工作在正常状态决定，第三电阻为修调电阻；

第二NMOS管和第三NMOS管尺寸相同，第一PMOS管和第二PMOS管尺寸相同，第三PMOS管和第四PMOS管尺寸相同；

第一电阻、第二电阻、第一NPN型三极管和第二NPN型三极管构成嵌套式类二极管，所述嵌套式类二极管的小信号等效阻抗的取值范围为其中g_m1是第一NMOS管的跨导，R₃是第三电阻的阻值，R₄是第四电阻的阻值。

2.根据权利要求1所述的高环路增益双环负反馈的带隙基准电路，其特征在于，所述补偿网络包括第一电容、第二电容和第五电阻，其中第一电容的容值大于第二电容的容值，第五电阻一端连接第一NMOS管的栅极并通过第二电容后接地，另一端通过第一电容后接地。

3.根据权利要求1或2所述的高环路增益双环负反馈的带隙基准电路，其特征在于，所述N为4或8。