[发明专利]化合物、具有吡啶环的化合物的合成方法以及发光元件在审

专利信息
申请号: 202010017333.0 申请日: 2020-01-08
公开(公告)号: CN111116586A 公开(公告)日: 2020-05-08
发明(设计)人: 颜子贤;林宜欣;黄朝伟 申请(专利权)人: 友达光电股份有限公司
主分类号: C07D471/04 分类号: C07D471/04;H01L51/54
代理公司: 隆天知识产权代理有限公司 72003 代理人: 张福根;付文川
地址: 中国台*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 化合物 具有 吡啶 合成 方法 以及 发光 元件
【说明书】:

发明提供化合物、具有吡啶环的化合物的合成方法以及发光元件。所述化合物具有下述式(1)所示的结构,其中环A及环B分别为相同或不同的经取代或未经取代的吡啶环;A1及A2分别为相同或不同的有机基团;R1及R2分别为相同或不同的取代基;m及n分别为0、1、2或3。

技术领域

本发明是有关于一种化合物、具有吡啶环的化合物的合成方法以及发光元件。

背景技术

有机发光二极体(Organic Light Emitting Diode;OLED)或量子点发光二极体(Quantum Dot Light Emitting Diode;QLED)包括两个金属电极与发光层。此外,OLED或QLED的基本结构还包括空穴传输层与电子传输层。阳极产生空穴且阴极产生电子,空穴透过空穴传输层传输且电子透过电子传输层传输,两者于再结合区域结合而形成激子(exciton),然后发光。然而,空穴传输层中的空穴迁移率与电子传输层中的电子迁移率不匹配,导致再结合区域偏向空穴传输层或电子传输层。举例来说,空穴迁移率通常大于电子迁移率,进而影响发光二极体的效能与寿命。

发明内容

本发明提供一种化合物,其作为电子传输层的材料时,可使电子传输层具有较佳的电子迁移率。

本发明提供一种具有吡啶环的化合物的合成方法,能合成出适用于电子传输层的化合物。

本发明提供一种发光元件,其具有良好的效能及寿命。

本发明的一种化合物,具有下述式(1)所示的结构,

其中环A及环B分别为相同或不同的经取代或未经取代的吡啶环;A1及A2分别为相同或不同的有机基团;R1及R2分别为相同或不同的取代基;m及n分别为0、1、2或3。

本发明的一种具有吡啶环的化合物的合成方法,合成方法包括以下步骤:将9,10-菲醌转化为硼酯化合物;以及使硼酯化合物与至少一种含有卤素官能基的化合物进行反应,以形成具有吡啶环的化合物。硼酯化合物具有下述式(1-1)所示的结构:

其中环A及环B分别为相同或不同的经取代或未经取代的吡啶环。

本发明的一种发光元件包括第一电极、有机层以及第二电极。有机层的材料包括上述的化合物或上述的具有吡啶环的化合物的合成方法所制备的化合物。有机层位于第一电极与第二电极之间。

基于上述,本发明一实施例的化合物,具有两芴环以双键彼此连接的结构,其中一芴环中的两个苯环上各有一碳原子被氮原子取代。借此,于发光元件的有机层中使用上述化合物或上述具有吡啶环的化合物的合成方法所制备的化合物,可使有机层具有较佳的电子迁移率。如此一来,便可改善空穴传输层中的空穴迁移率与电子传输层中的电子迁移率不匹配的问题,从而提升发光元件的效能及寿命。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1是依照本发明一实施例的发光元件的示意图。

其中,附图标记说明如下:

10:发光元件

100:第一电极

110:空穴注入层

120:空穴传输层

130:发光层

140:有机层

140’:电子传输层

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