[发明专利]化合物、具有吡啶环的化合物的合成方法以及发光元件在审
申请号: | 202010017333.0 | 申请日: | 2020-01-08 |
公开(公告)号: | CN111116586A | 公开(公告)日: | 2020-05-08 |
发明(设计)人: | 颜子贤;林宜欣;黄朝伟 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | C07D471/04 | 分类号: | C07D471/04;H01L51/54 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 张福根;付文川 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 化合物 具有 吡啶 合成 方法 以及 发光 元件 | ||
1.一种化合物,具有下述式(1)所示的结构,
其中环A及环B分别为相同或不同的经取代或未经取代的吡啶环;A1及A2分别为相同或不同的有机基团;R1及R2分别为相同或不同的取代基;m及n分别为0、1、2或3。
2.如权利要求1所述的化合物,其中式(1)包括下述式(2)所示的结构:
其中A1及A2分别为相同或不同的有机基团;R1、R2、R3及R4分别为相同或不同的取代基;m、n、p及q分别为0、1、2或3。
3.如权利要求1或2所述的化合物,其中A1及A2中的至少一者具有如下述式(3)所示的结构:
X—Y—* 式(3),
其中X为经取代或未经取代的吡啶基或经取代或未经取代的嘧啶基,Y为经取代或未经取代的二价芳香族基团,*表示键结位置。
4.如权利要求3所述的化合物,其中X为*表示键结位置。
5.如权利要求3所述的化合物,其中Y为经取代或未经取代的伸苯基、经取代或未经取代的伸吡啶基或经取代或未经取代的伸嘧啶基。
6.如权利要求1所述的化合物,其中具有式(1)所示的结构的化合物选自以下化合物中的一种:
7.如权利要求1所述的化合物,其作为电子传输层的材料时,所述电子传输层的电子迁移率介于1×10-4cm2V-1s-1与9×10-4cm2V-1s-1之间。
8.一种具有吡啶环的化合物的合成方法,所述合成方法包括以下步骤:
将9,10-菲醌转化为硼酯化合物;以及
使所述硼酯化合物与至少一种含有卤素官能基的化合物进行反应,以形成所述具有吡啶环的化合物,其中所述硼酯化合物具有下述式(1-1)所示的结构:
其中环A及环B分别为相同或不同的经取代或未经取代的吡啶环。
9.如权利要求8所述的合成方法,其中所述将9,10-菲醌转化为所述硼酯化合物包括:
使9,10-菲醌转化为经取代或未经取代的芴酮;以及
使所述经取代或未经取代的芴酮转化为所述硼酯化合物。
10.如权利要求8所述的合成方法,其中所述含有卤素官能基的化合物包括X为卤素原子。
11.一种发光元件,包括:
第一电极;
有机层,所述有机层的材料包括如权利要求1至7中任一项所述的化合物或如权利要求8至10中任一项所述的具有吡啶环的化合物的合成方法所制备的化合物;以及
第二电极,
其中所述有机层位于所述第一电极与所述第二电极之间。
12.如权利要求11所述的发光元件,其中所述有机层包括电子传输层,且所述电子传输层的材料包括如权利要求1至7中任一项所述的化合物或如权利要求8至10中任一项所述的化合物的合成方法所制备的化合物。
13.如权利要求11所述的发光元件,还包括空穴传输层,其中所述空穴传输层位于所述有机层与所述第一电极之间。
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