[发明专利]压电薄膜、压电薄膜元件、压电致动器和压电传感器有效
申请号: | 202010016953.2 | 申请日: | 2020-01-08 |
公开(公告)号: | CN111435699B | 公开(公告)日: | 2023-07-18 |
发明(设计)人: | 森下纯平 | 申请(专利权)人: | TDK株式会社 |
主分类号: | H10N30/85 | 分类号: | H10N30/85;H10N30/00 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;王磊 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 压电 薄膜 元件 致动器 传感器 | ||
压电薄膜(3)是包含金属氧化物的压电薄膜(3),其中,金属氧化物含有铋、钾、钛、铁和元素M,元素M为镁和镍中的至少一种,至少一部分金属氧化物为具有钙钛矿结构的晶体,晶体的(001)面、(110)面或(111)面在压电薄膜(3)的表面的法线方向(dn)上进行取向。
技术领域
本发明涉及压电薄膜、压电薄膜元件、压电致动器、压电传感器、压电转换器、硬盘驱动器、打印头和喷墨打印装置。
背景技术
压电体根据各种目的被加工成各种各样的压电元件。例如,压电致动器通过对压电体施加电压而使压电体变形的逆压电效应,将电压转换成力。压电传感器还通过对压电体施加压力而使压电体变形的压电效应,将力转换成电压。这些压电元件搭载于各种各样的电子设备。近年来的市场中,要求电子设备的小型化和性能的提高,因此,积极研究着使用了压电薄膜的压电元件(压电薄膜元件)。但是,压电体越薄,越难以得到压电效应和逆压电效应,因此,期待开发出在薄膜的状态下具有优异的压电特性的压电体。
目前,作为压电体,大多使用着作为钙钛矿型铁电体的锆钛酸铅(所谓的PZT)。但是,PZT包含伤害人体和环境的铅,因此,作为PZT的代替品,期待开发出无铅(Lead-free)的压电体。例如,非专利文献1中,作为无铅的压电体的一例,记载有BaTiO3系材料。BaTiO3系材料即使在无铅的压电体中也具有比较优异的压电特性,特别期待在压电薄膜元件中的应用。
[非专利文献1]
Yiping Guo et al.,Thickness Dependence of Electrical Properties ofHighly(100)-Oriented BaTiO3 Thin Films Prepared by One-Step Chemical SolutionDeposition,Japanese Journal of Applied Physics,Vol.45,No.2A,2006,pp.855-859
发明内容
本发明的目的在于,提供压电性优异的压电薄膜、压电薄膜元件、以及使用了压电薄膜元件的压电致动器、压电传感器、压电转换器、硬盘驱动器、打印头和喷墨打印装置。
本发明的一个方面提供一种压电薄膜,其为包含金属氧化物的压电薄膜,其中,金属氧化物含有铋、钾、钛、铁和元素M,元素M为镁和镍中的至少一种,至少一部分金属氧化物为具有钙钛矿结构的晶体,晶体的(001)面、(110)面或(111)面在压电薄膜的表面的法线方向上进行取向。
上述金属氧化物可以由下述化学式1表示,下述化学式1中的x、y和z分别可以为正实数,x+y+z可以为1,下述化学式1中的α可以大于0且小于1,下述化学式1中的β可以大于0且小于1,下述化学式1中的M可以表示为MgγNi1-γ,γ可以为0以上1以下。
x(BiαK1-α)TiO3-yBi(MβTi1-β)O3-zBiFeO3 (1)
三维坐标系可以由X轴、Y轴和Z轴构成,坐标系中任意的坐标可以表示为(X,Y,Z),坐标系中的坐标(x,y,z)可以表示上述化学式1中的x、y和z,坐标系中的坐标A可以为(0.300,0.100,0.600),坐标系中的坐标B可以为(0.450,0.250,0.300),坐标系中的坐标C可以为(0.200,0.500,0.300),坐标系中的坐标D可以为(0.100,0.300,0.600),(x,y,z)可以位于顶点为坐标A、坐标B、坐标C和坐标D的四边形以内。
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