[发明专利]压电薄膜、压电薄膜元件、压电致动器和压电传感器

权利要求书

1.一种压电薄膜，其包含金属氧化物，该压电薄膜的特征在于：

所述金属氧化物含有铋、钾、钛、铁和元素M，

所述元素M为镁和镍中的至少一种，

所述金属氧化物由下述化学式1表示，

x（Bi_αK_1－α）TiO₃－yBi（M_βTi_1－β）O₃－zBiFeO₃ （1）

所述化学式1中的x、y和z分别为正实数，

x＋y＋z为1，

所述化学式1中的α大于0且小于1，

所述化学式1中的β大于0且小于1，

所述化学式1中的M表示为Mg_γNi_1－γ，

γ为0以上1以下，

至少一部分所述金属氧化物为具有钙钛矿结构的晶体，

至少一部分所述晶体为正方晶，

所述正方晶的（001）面在所述压电薄膜的表面的法线方向上取向，

所述正方晶的（001）面的取向度表示为100×I_（001）/ΣI_（hkl），

所述（001）面的所述取向度为70％以上且100％以下，

所述ΣI_（hkl）为I_（001）＋I_（110）＋I_（111），

所述I_（001）是所述正方晶的源自（001）面的衍射X射线的峰值的最大值，

所述I_（110）是所述正方晶的源自（110）面的衍射X射线的峰值的最大值，

所述I_（111）是所述正方晶的源自（111）面的衍射X射线的峰值的最大值，

所述正方晶的源自（001）面的所述衍射X射线的峰值通过所述压电薄膜的表面的不共平面测定进行测定，

所述正方晶的源自（110）面的所述衍射X射线的峰值通过所述压电薄膜的表面的不共平面测定进行测定，

所述正方晶的源自（111）面的所述衍射X射线的峰值通过所述压电薄膜的表面的不共平面测定进行测定。

2.根据权利要求1所述的压电薄膜，其特征在于：

三维坐标系由X轴、Y轴和Z轴构成，

所述坐标系中任意的坐标表示为（X，Y，Z），

所述坐标系中的坐标（x，y，z）表示所述化学式1中的x、y和z，

所述坐标系中的坐标A为（0.300，0.100，0.600），

所述坐标系中的坐标B为（0.450，0.250，0.300），

所述坐标系中的坐标C为（0.200，0.500，0.300），

所述坐标系中的坐标D为（0.100，0.300，0.600），

所述（x，y，z）位于顶点为所述坐标A、所述坐标B、所述坐标C和所述坐标D的四边形以内。

3.根据权利要求2所述的压电薄膜，其特征在于：

所述坐标系中的坐标E为（0.400，0.200，0.400），

所述坐标系中的坐标F为（0.200，0.400，0.400），

所述坐标（x，y，z）位于顶点为所述坐标A、所述坐标E、所述坐标F和所述坐标D的四边形以内。

4.根据权利要求1所述的压电薄膜，其特征在于：

所述压电薄膜为外延膜。

5.根据权利要求1所述的压电薄膜，其特征在于：

所述压电薄膜为铁电性薄膜。