[发明专利]用于制造互连结构的方法

权利要求书

1.一种制造互连结构的方法，包括：

在电介质层上方沉积金属硬掩模；

在所述金属硬掩模中蚀刻金属硬掩模开口，以暴露所述电介质层的顶表面；

在所述电介质层中蚀刻至少一个互连开口，以暴露基底导电层的顶表面；

通过将非金属原子添加至所述金属硬掩模的金属性层来修改所述金属硬掩模开口的侧壁；以及

在所述金属硬掩模开口和所述至少一个互连开口中沉积导电材料。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：移除所述导电材料的位于所述金属硬掩模的顶表面上的部分。

3.根据权利要求2所述的方法，还包括：移除所述金属硬掩模。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，沉积金属硬掩模还包括：

在所述电介质层上方沉积第一抗反射层；以及

在所述电介质层上方沉积所述金属性层。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，修改所述金属硬掩模开口的侧壁还包括：对所述金属硬掩模进行退火以将所述金属性层的金属原子扩散至所述第一抗反射层中，其中，所述金属性层位于所述第一抗反射层与所述电介质层之间。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，修改所述金属硬掩模开口的侧壁还包括：将所述第一抗反射层和所述金属性层暴露于含氮等离子体。

7.根据权利要求4所述的方法，还包括：在所述电介质层上方沉积第二抗反射层，使得所述金属性层位于所述第一抗反射层与所述第二抗反射层之间。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，蚀刻所述至少一个互连开口还包括：

穿过所述金属硬掩模开口在所述电介质层中蚀刻至少一个沟槽；

在所述金属硬掩模上方和所述至少一个沟槽中沉积一层掩模材料；

对所述掩模材料进行图案化以在所述至少一个沟槽中形成穿过所述掩模材料的开口；以及

穿过所述电介质层蚀刻至少一个通孔，以暴露位于所述电介质层下方的所述基底导电层。

9.一种制造互连结构的方法，包括：

在第一铜互连结构上方沉积电介质层；

在所述电介质层上方沉积金属硬掩模；

在所述金属硬掩模中蚀刻金属硬掩模开口；

在所述电介质层中蚀刻互连结构开口的第一部分；

在所述电介质层中蚀刻所述互连结构开口的第二部分；

通过对所述金属硬掩模进行热处理来修改所述金属硬掩模开口的侧壁；以及

穿过所述金属硬掩模开口在所述互连结构开口中沉积导电材料。

10.一种制造互连结构的方法，包括：

在衬底上方沉积电介质层；

在所述电介质层上方沉积硬掩模层；

穿过硬掩模层开口来暴露所述电介质层的顶表面；

在所述电介质层中蚀刻互连开口；

修改所述硬掩模层开口的侧壁；以及

穿过具有经修改的侧壁的所述硬掩模层开口来利用导电材料填充所述互连开口。