[发明专利]突出栅极晶体管及其制造方法

说明书

本发明提供一种突出栅极晶体管，所述突出栅极晶体管包括基板、源极区、汲极区、通道延伸锚、通道层、和栅极结构。所述栅极结构包括栅极绝缘层和栅极导电层。所述通道层形成为从所述基板突出，以延伸所述突出栅极器晶体管的所述通道的所述长度并减轻通道长度的调制。

技术领域

本公开总体上涉及一种半导体晶体管，并且更具体地涉及一种具有突出的栅极的半导体晶体管。

背景技术

随着半导体技术的尺寸减小，在集成电路设计中，来自短沟道效应的问题变得更加突出。短沟道效应包括沟道长度调制(CLM)，这是随着漏极电压的增加而缩短的沟道区域的同相长度。因此，有必要防止/减轻CLM问题。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种半导体晶体管，以解决上述技术问题。

一种突出栅极晶体管结构，其包括：基板；源极区及汲极区形成在所述基板内；通道延伸锚设置在所述源极区和所述汲极区之间；通道层保形覆盖所述通道延伸锚；以及栅极结构形成并延伸远离在所述基板的表面上。所述栅极结构包含栅极绝缘层覆盖所述通道层；栅极导电层覆盖所述栅极绝缘层；以及金属盖设置在所述栅极导电层。

一种形成突出栅极晶体管结构的方法，其包括：形成源极区和汲极区在基板；形成第一介电膜在所述基板的表面上；去除所述第一介电膜的部分以形成通道延伸锚；形成第一电极膜在所述基板的所述表面上和所述通道延伸锚上；去除所述第一电极膜的一部分以形成通道层；以及形成碳化物结构在所述源极结构和所述汲极结构之间的所述基板的表面上。形成所述栅极结构包含在所述基板的所述表面上并在所述通道层上依次形成第二介电膜和第二电极膜；去除所述第二介电膜和所述第二电极膜的部分，以相应地形成栅极绝缘层和栅极导电层；以及形成金属盖在所述栅极导电层上。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1示出了根据本公开的一些实施例的存储器单元的示意图；

图2示出了根据本公开的一些实施例的存储器单元的截面图；

图3示出了根据本公开的一些实施例的一种形成存储单元的方法的流程图；

图4A-4E示出了根据本公开的一些实施例的在制造期间的存储器单元的截面图；

图5示出了根据本公开的一些实施例的一种形成栅极结构的方法的流程图；

图6A-6C示出了根据本公开的一些实施例的金属盖制造过程中存储单元的横截面图的截面图；

图7示出了根据本公开的一些实施例的电容器结构的截面图；

图8示出了根据本公开的一些实施例的存储器单元的截面图。

然而，要注意的是，随附图式仅说明本案之示范性实施态样并因此不被视为限制本案的范围，因为本案可承认其他等效实施态样。

主要元件符号说明

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

以下描述将参考附图以更全面地描述本发明。附图中所示为本公开的示例性实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式来实施，并且不应该被解释为限于在此阐述的示例性实施例。提供这些示例性实施例是为了使本公开透彻和完整，并且将本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。类似的附图标记表示相同或类似的组件。