[发明专利]突出栅极晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种突出栅极晶体管结构，其特征在于，包含：

基板；

源极区及汲极区形成在所述基板内，所述源极区和所述汲极区均具有重掺杂区及轻掺杂区；以及

通道延伸锚设置所述源极区及所述汲极区之间；

通道层保形覆盖所述通道延伸锚；

栅极结构形成并延伸远离在所述基板的表面上,所述栅极结构包含：

栅极绝缘层覆盖所述通道层；

栅极导电层覆盖所述栅极绝缘层；以及

金属盖设置在所述栅极导电层上；

所述通道层形成倒U形截面形状，所述栅极绝缘层和所述栅极导电层形成欧米茄(Ω)截面形状，所述栅极绝缘层和所述栅极导电层的欧米茄截面形状的法兰的平表面相应地布置在所述汲极区和所述源极区的所述轻掺杂区。

2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，其中所述金属盖覆盖所述栅极导电层。

3.如权利要求1所述的结构，其特征在于，其中所述金属盖仅设置在所述栅极结构的顶面上。

4.如权利要求1所述的结构，其特征在于，其中所述金属盖的材料包括钨丝(W)，所述通道层的材料和所述栅极导电层的材料包括多晶硅。

5.一种形成突出栅极晶体管结构的方法，其特征在于，包含：

形成源极区和汲极区在基板；

形成第一介电膜在所述基板的表面上；

去除所述第一介电膜的部分以形成通道延伸锚；

形成第一电极膜在所述基板的所述表面上和所述通道延伸锚上；去除所述第一电极膜的一部分以形成通道层；以及

形成栅极结构在所述源极区和所述汲极区之间的所述基板的表面上，形成所述栅极结构包含：

在所述基板的所述表面上并在所述通道层上依次形成第二介电膜和第二电极膜；

去除所述第二介电膜和所述第二电极膜的部分，以相应地形成栅极绝缘层和栅极导电层；以及

形成金属盖在所述栅极导电层上；

形成所述源极区包含形成重掺杂区及形成所述重掺杂区后形成轻掺杂区；形成所述汲极区包含形成重掺杂区及形成所述重掺杂区后形成轻掺杂区；所述通道层形成倒U形截面形状，所述栅极绝缘层和所述栅极导电层形成欧米茄(Ω)截面形状，所述栅极绝缘层和所述栅极导电层的欧米茄截面形状的法兰的平表面相应地布置在所述汲极区和所述源极区的所述轻掺杂区。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中形成所述金属盖在所述栅极导电层包含：

形成牺牲结构在所述基板的所述表面上；

在所述牺牲结构上形成孔，以暴露一部分所述栅极导电层，其中所述导电层形成欧米茄形状，所述牺牲结构的所述孔暴露出所述欧米茄形状的顶部；

设置所述金属盖在所述牺牲结构的所述孔中；以及

去除所述牺牲结构。

7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，其中形成所述金属盖在所述栅极导电层上包含：

形成金属膜在所述第二电极膜上；以及

去除所述金属膜的一部分，同时去除所述第二介电膜和所述第二电极膜的部分，以形成所述金属盖；

其中所述栅极导电层形成欧米茄形状，并且所述金属盖覆盖所述欧米茄形状的顶部，侧部和法兰部分。