[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底上具有鳍部结构，所述鳍部结构包括若干沿所述基底表面法线方向层叠排布的第一修正鳍部层；

位于所述基底上的第一介质层，所述第一介质层覆盖所述鳍部结构的侧壁；

位于所述第一介质层与所述鳍部结构内的凹槽，所述凹槽沿第一方向贯穿所述鳍部结构，且所述凹槽沿所述第一方向的宽度大于所述鳍部结构沿所述第一方向的宽度。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述凹槽内的源漏掺杂层。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述鳍部结构包括底部区与位于所述底部区上的顶部区，所述顶部区包括若干沿所述基底表面法线方向重叠的复合鳍部，所述复合鳍部包括所述第一修正鳍部层以及位于所述第一修正鳍部上的第二鳍部层；位于底部的所述第二鳍部层与所述底部区之间的具有第一鳍部凹槽，相邻两层的所述第二鳍部层之间具有第二鳍部凹槽。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述第一鳍部凹槽内的第一阻挡层，位于所述第二鳍部凹槽内的第二阻挡层。

5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述基底上还具有隔离结构，所述隔离结构覆盖所述底部区的侧壁，所述第一介质层位于所述隔离结构上，所述第一介质层覆盖所述顶部区的侧壁。

6.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括：位于所述基底上的伪栅极结构，所述伪栅极结构横跨所述鳍部结构，且所述伪栅极结构覆盖所述鳍部结构部分侧壁与部分顶部表面；所述第一介质层覆盖部分所述伪栅极结构的侧壁表面，所述第一介质层的顶部表面低于所述伪栅极结构的顶部表面。

7.一种形成半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底上具有鳍部结构，所述鳍部结构包括若干沿所述基底表面法线方向层叠排布的第一鳍部层；

在所述基底上形成第一介质层，所述第一介质层覆盖所述鳍部结构的侧壁；

在所述鳍部结构和所述第一介质层内形成凹槽，所述凹槽沿第一方向贯穿所述鳍部结构，且所述凹槽沿所述第一方向的宽度大于所述鳍部结构沿所述第一方向的宽度。

8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述凹槽之后，还包括：在所述凹槽内形成源漏掺杂层。

9.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述鳍部结构包括底部区与位于所述底部区上的顶部区，所述顶部区包括若干沿所述基底表面法线方向重叠的复合鳍部，所述复合鳍部包括所述第一鳍部层以及位于所述第一鳍部层上的第二鳍部层。

10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在形成所述凹槽之前，还包括：在所述基底上形成横跨所述鳍部结构的伪栅极结构，所述伪栅极结构覆盖所述鳍部结构部分侧壁与部分顶部表面。

11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一介质层与所述凹槽的形成方法包括：在所述基底上形成初始第一介质层，所述初始第一介质层覆盖所述顶部区与部分所述伪栅极结构的侧壁；以所述伪栅极结构与所述初始第一介质层为掩膜刻蚀所述顶部区，直至暴露出所述底部区为止，在所述伪栅极结构两侧的顶部区内形成初始凹槽；沿垂直于所述初始凹槽侧壁的方向刻蚀所述初始第一介质层，形成所述第一介质层与所述凹槽。

12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿垂直于所述初始凹槽侧壁的方向刻蚀所述初始第一介质层的厚度范围为：2纳米～15纳米。

13.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，沿垂直于所述初始凹槽侧壁的方向刻蚀所述初始第一介质层的工艺包括湿法刻蚀工艺或气相刻蚀工艺。