[发明专利]一种抗胶气的LED芯片及其制作方法

说明书

本发明公开了一种抗胶气LED芯片及其制作方法，将发光结构浸泡在电离中和溶液中，不仅可以中和电离电极上的电荷，还可以去除电极表面的杂质和油污。此外，本发明还将光结构进行低温退火，使得电离中和溶液在电极的表面形成一层电离中和层。本发明的发光结构经过退化出来后，电极的表面重新整理，电极表面的电荷被钝化，电极的金属稳定。

技术领域

本发明涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种抗胶气的LED芯片及其制作方法。

背景技术

现有的LED芯片需要用固晶胶将其固定在封装支架上，固晶胶经过烘烤之后，会产生胶气。LED芯片的电极，经过各种制程之后，例如翻转、镀膜、撕开蓝膜，电极部分会产生电离，电离会吸付胶气在电极表面上，会产生打线不沾的现象。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种抗胶气LED芯片，结构简单，可将电极表面的电离中和。

本发明还要解决的技术问题在于，提供一种抗胶气LED芯片的制作方法，结构简单，可将电极表面的电离中和。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种抗胶气LED芯片的制作方法，包括：

形成发光结构，所述发光结构包括衬底、设于衬底上的外延层、以及设于外延层上的电极；

将发光结构浸泡在电离中和溶液中，所述电离中和溶液由含有磷和钠的碱性清洁剂和水制成，其中，磷和钠的数量比为3:1；

将发光结构清洗干净后烘干，其中，所述电离中和溶液被电极吸附在其表面，其余电离中和溶液被水冲掉；

将烘干后的发光结构进行低温退火，所述电离中和溶液在电极的表面形成一层电离中和层，所述电离中和层用于中和电离电极表面的电荷。

作为上述方案的改进，所述碱性清洁剂和水的质量比为1：(5～10)。

作为上述方案的改进，所述碱性清洁剂还含有活性酶和酶稳定剂；

所述活性酶为脂肪酶、蛋白酶、纤维素酶、淀粉酶中的一种或几种；

所述酶稳定剂为混合二羧酸盐、水溶性短链羧酸盐、多醇混合物和脂肪酸中的一种或几种。

作为上述方案的改进，将发光结构放入烤箱中，通入氮气和空气进行低温退火。

作为上述方案的改进，退火温度为30～50℃，退火时间为20～50min。

作为上述方案的改进，所述电离中和层的厚度为3～30埃。

作为上述方案的改进，所述电离中和层的厚度为10～20埃。

作为上述方案的改进，所述电极的表面结构至少包括金、铝、铜和银中的一种金属。

相应地，本发明还提供了一种抗胶气LED芯片的制作方法，包括发光结构和电离中和层，所述发光结构包括衬底、设于衬底上的外延层、以及设于外延层上的电极；

所述电离中和层包裹在电极的表面上，用于中和电离电极上的电荷；

所述电离中和层由含有磷和钠的碱性清洁剂制成，其中，磷和钠的数量比为3:1。

作为上述方案的改进，所述电离中和层的厚度为3～30埃。

实施本发明，具有如下有益效果：

本发明将发光结构浸泡在电离中和溶液中，不仅可以中和电离电极上的电荷，还可以去除电极表面的杂质和油污。此外，本发明还将光结构进行低温退火，使得电离中和溶液在电极的表面形成一层电离中和层。本发明的发光结构经过退化出来后，电极的表面重新整理，电极表面的电荷被钝化，电极的金属稳定。

附图说明