[发明专利]一种抗胶气的LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种抗胶气LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

形成发光结构，所述发光结构包括衬底、设于衬底上的外延层、以及设于外延层上的电极；

将发光结构浸泡在电离中和溶液中，所述电离中和溶液由含有磷和钠的碱性清洁剂和水制成，其中，磷和钠的数量比为3:1；

将发光结构清洗干净后烘干，其中，所述电离中和溶液被电极吸附在其表面，其余电离中和溶液被水冲掉；

将烘干后的发光结构进行低温退火，所述电离中和溶液在电极的表面形成一层电离中和层，所述电离中和层用于中和电离电极表面的电荷。

2.如权利要求1所述的抗胶气LED芯片的制作方法，其特征在于，所述碱性清洁剂和水的质量比为1：(5～10)。

3.如权利要求2所述的抗胶气LED芯片的制作方法，其特征在于，所述碱性清洁剂还含有活性酶和酶稳定剂；

所述活性酶为脂肪酶、蛋白酶、纤维素酶、淀粉酶中的一种或几种；

所述酶稳定剂为混合二羧酸盐、水溶性短链羧酸盐、多醇混合物和脂肪酸中的一种或几种。

4.如权利要求1所述的抗胶气LED芯片的制作方法，其特征在于，将发光结构放入烤箱中，通入氮气和空气进行低温退火。

5.如权利要求4所述的抗胶气LED芯片的制作方法，其特征在于，退火温度为30～50℃，退火时间为20～50min。

6.如权利要求1所述的抗胶气LED芯片的制作方法，其特征在于，所述电离中和层的厚度为3～30埃。

7.如权利要求6所述的抗胶气LED芯片的制作方法，其特征在于，所述电离中和层的厚度为10～20埃。

8.如权利要求1所述的抗胶气LED芯片的制作方法，其特征在于，所述电极的表面结构至少包括金、铝、铜和银中的一种金属。

9.一种抗胶气LED芯片，其特征在于，包括发光结构和电离中和层，所述发光结构包括衬底、设于衬底上的外延层、以及设于外延层上的电极；

所述电离中和层包裹在电极的表面上，用于中和电离电极上的电荷；

所述电离中和层由含有磷和钠的碱性清洁剂制成，其中，磷和钠的数量比为3:1。

10.如权利要求9所述的抗胶气LED芯片，其特征在于，所述电离中和层的厚度为3～30埃。