[发明专利]发热元件及其制备方法

权利要求书

1.一种发热元件，其特征在于：所述发热元件包括相互连接的基板和底板，所述基板上设置有至少两个通孔，所述基板的至少部分外表面以及所述通孔的内壁上设置有镀膜层，所述基板外表面的镀膜层上设置有电极，所述底板上设置有凹槽，所述凹槽的内壁与所述基板共同围合形成液体通道，所述液体通道与所述通孔流体连通。

2.如权利要求1所述的发热元件，其特征在于：所述基板位于至少部分相邻所述通孔之间的下表面上设置有镀膜层和/或所述基板位于至少部分相邻所述通孔之间的上表面上设置有镀膜层。

3.如权利要求1所述的发热元件，其特征在于：所述镀膜层表面设置有钝化保护层，位于所述基板外表面的所述钝化保护层上设置有至少两个空白区域，一个所述空白区域与一个所述电极一一对应，每个所述电极设置在对应的所述空白区域内。

4.如权利要求1所述的发热元件，其特征在于：所述通孔的内壁与所述镀膜层之间依次设置有绝缘层和种子层，所述基板的外表面与所述镀膜层之间依次设置有绝缘层和种子层。

5.如权利要求1所述的发热元件，其特征在于：所述镀膜层的厚度为1～100μm。

6.如权利要求3所述的发热元件，其特征在于：所述钝化保护层的厚度为0.2～10μm。

7.如权利要求4所述的发热元件，其特征在于：所述绝缘层的厚度为0.2～10μm。

8.如权利要求5所述的发热元件，其特征在于：所述种子层的厚度为1μm以下。

9.如权利要求1所述的发热元件，其特征在于：所述通孔的尺寸为1μm-10000μm。

10.如权利要求1所述的发热元件，其特征在于：所述镀膜层由铜、镍、金、氧化铜或者氧化镍中的一种或几种材料制成。

11.一种如权利要求1-10任一项所述的发热元件的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1：准备基板和底板，在所述基板上刻蚀至少两个通孔，在所述底板上刻蚀凹槽；

S2：利用镀膜工艺在每个所述通孔的内壁和所述基板的至少部分外表面设置镀膜层；

S3：在所述基板表面的镀膜层上设置电极；

S4：利用键合工艺将S3制得的所述基板与S1制得的所述底板键合，所述基板与所述凹槽的内壁共同围合形成液体通道，所述液体通道与所述通孔流体连通，即得所述发热元件。

12.如权利要求11所述的发热元件的制备方法，其特征在于：在所述基板上表面的镀膜层表面设置钝化保护层，所述钝化保护层上设置有两个空白区域，两个所述空白区域分别与两个所述电极一一对应，每个所述电极设置在对应的所述空白区域内，所述电极由铝、铂、钛、钨或金中的任意一种或几种材料制成。

13.如权利要求12所述的发热元件的制备方法，其特征在于：所述通孔的内壁与所述镀膜层之间依次设置有绝缘层和种子层，所述基板的外表面与所述镀膜层之间依次设置有绝缘层和种子层，所述绝缘层由氧化硅、碳化硅或氮化硅中的任意一种或几种化学性质稳定的电绝缘材料制成，所述镀膜层由铜、镍、金、氧化铜或者氧化镍中的一种或几种材料制成，所述钝化保护层由氮化硅或氧化硅中的任意一种或两种材料制成。