[发明专利]电子结构及其制法在审
| 申请号: | 202010003908.3 | 申请日: | 2020-01-03 |
| 公开(公告)号: | CN111524869A | 公开(公告)日: | 2020-08-11 |
| 发明(设计)人: | 何志强;叶育玮;陈嘉扬;廖芷苡;邱志贤 | 申请(专利权)人: | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
| 地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 电子 结构 及其 制法 | ||
1.一种电子结构,其特征在于,包括:
一承载件;
至少一电子元件,其接置于该承载件上并电性连接该承载件;
多个导电元件,其结合于该承载件上;以及
一包覆层,其形成于该承载件上以包覆该电子元件,且该包覆层对应该多个导电元件的位置分别形成有容置该多个导电元件的凹部,以令该多个导电元件具有一外凸出该包覆层的外表面的凸部,且该多个导电元件与所对应的凹部之间具有间隙或无间隙,其中,该多个凹部的壁面实质上呈圆弧状。
2.根据权利要求1所述的电子结构,其特征在于,该承载件具有相对的第一侧与第二侧,且该包覆层及该多个导电元件设于该第一侧及/或该第二侧上。
3.根据权利要求1所述的电子结构,其特征在于,该导电元件部分接触该包覆层或完全未接触该包覆层。
4.根据权利要求1所述的电子结构,其特征在于,该凹部的壁面实质上呈球面。
5.根据权利要求1所述的电子结构,其特征在于,该凹部于该包覆层外侧边缘处呈倒钩状。
6.根据权利要求1所述的电子结构,其特征在于,该电子结构还包括电路板或封装结构,其结合于该多个导电元件的凸部上。
7.根据权利要求1所述的电子结构,其特征在于,该凹部的壁面朝外延伸以形成沟槽。
8.根据权利要求7所述的电子结构,其特征在于,该沟槽具有斜状壁面。
9.一种电子结构的制法,其特征在于,包括:
设置至少一电子元件于一承载件上,并使该电子元件电性连接该承载件;
形成多个导电元件于该承载件上;
形成包覆层于该承载件上,以令该包覆层包覆该电子元件及该多个导电元件;
移除部分该包覆层及该多个导电元件的部分材料,以令该多个导电元件的其中一端面外露出该包覆层;以及
进行回焊制程,以令该多个导电元件形成一外凸出该包覆层的外表面的凸部,且该包覆层对应该多个导电元件的位置分别形成有凹部,且该多个导电元件与所对应的凹部之间具有间隙或无间隙,其中,该多个凹部的壁面实质上呈圆弧状。
10.根据权利要求9所述的电子结构的制法,其特征在于,该承载件具有相对的第一侧与第二侧,且该包覆层及该多个导电元件设于该第一侧及/或该第二侧上。
11.根据权利要求9所述的电子结构的制法,其特征在于,该导电元件部分接触该包覆层或完全未接触该包覆层。
12.根据权利要求9所述的电子结构的制法,其特征在于,该凹部的壁面实质上呈球面。
13.根据权利要求9所述的电子结构的制法,其特征在于,该凹部于该包覆层外侧边缘处呈倒钩状。
14.根据权利要求9所述的电子结构的制法,其特征在于,该制法还包括结合电路板或封装结构于该多个导电元件的凸部上。
15.根据权利要求9所述的电子结构的制法,其特征在于,该制法还包括于进行该回焊制程前,于该包覆层上对应该导电元件外露出该包覆层的端面处形成沟槽。
16.根据权利要求15所述的电子结构的制法,其特征在于,该凹部及该沟槽一体相连。
17.根据权利要求15所述的电子结构的制法,其特征在于,该沟槽具有斜状壁面。
18.根据权利要求9所述的电子结构的制法,其特征在于,该制法还包括于进行该回焊制程前,于该导电元件外露出该包覆层的端面上形成导电材。
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