[发明专利]晶圆检测方法、装置和设备

说明书

本发明实施例提供一种晶圆检测方法、装置和设备，方法包括通过获取待检测晶圆的图像，将每个待检测区域与标准晶圆中的对应区域进行比较，标准晶圆包括N个区域，标准晶圆的每个区域与每个待检测区域一一对应，待检测区域在待检测晶圆中的位置与对应区域在标准晶圆中的位置相同，若每个待检测区域与标准晶圆的对应区域的差异在预设范围内，则确定待检测晶圆为合格晶圆；由于晶圆中不同区域对缺陷的判断标准不同，对每个待检测区域进行缺陷检测，使得晶圆的缺陷检测更加灵活，检测准确性更高。解决了现有技术中对晶圆的缺陷检测时，由于对晶圆是否存在缺陷的检测标准不灵活造成的晶圆是否存在缺陷检测结果不准确的问题，从而减少了生产成本。

技术领域

本发明实施例涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种晶圆检测方法、装置和设备。

背景技术

晶圆(Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，是生产集成电路(integrated circuit，IC)所用的载体，因此，晶圆的质量直接影响芯片的良品率及制造成本。在制作晶圆的过程中，不可避免的会使部分晶圆存在缺陷，例如，在光刻过程中由于晶圆表面不平整，会造成聚焦光斑，色差等缺陷。因此，需要对晶圆进行检测，得到符合标准的晶圆。

现有技术中，采用晶圆检测系统(wafer inspect system，WIS)拍摄晶圆光刻前和光刻后的图片，根据WIS自带的图像检测方法和检测标准对晶圆光刻前的图片和光刻后的图片分别进行缺陷检测，确定不符合标准的晶圆。

但是，通过WIS自带的图像检测方法和检测标准对晶圆光刻前的图片和光刻后的图片分别进行缺陷检测用以确定存在缺陷的晶圆时，由于WIS自带的图像检测方法和检测标准非常不灵活，在一些场景下，有可能将一些存在可忽略的小缺陷的晶圆确定为不合格晶圆，或者将有缺陷的晶圆确定为合格晶圆，那么根据该晶圆获得的芯片存在质量问题，提高了生产成本。

发明内容

本发明实施例提供一种晶圆检测方法、装置和设备，使晶圆缺陷的检测标准更加灵活，从而提高晶圆检测的准确性。

第一方面，本发明实施例提供一种晶圆检测方法，包括：

获取待检测晶圆的图像；

将所述待检测晶圆的图像划分为N个不同的待检测区域，所述N为大于等于2的整数；

将每个待检测区域与标准晶圆的图像中的对应区域进行比较，所述标准晶圆的图像包括N个区域，所述标准晶圆的图像中的每个区域与每个待检测区域一一对应，所述待检测区域在所述待检测晶圆中的位置与对应区域在所述标准晶圆中的位置相同；其中，所述标准晶圆为与所述待检测晶圆通过同一生产线制造的合格晶圆；

若所述每个待检测区域与所述标准晶圆的图像中的对应区域的差异在预设范围内，则确定所述待检测晶圆为合格晶圆。

在一些可能的实施例中，所述将所述待检测晶圆的图像划分为N个不同的区域，包括：

将所述待检测晶圆划分为一个圆形待检测区域和至少一个圆环待检测区域，其中，所述圆形待检测区域与所述至少一个圆环待检测区域共圆心，所述圆心为所述待检测晶圆的圆心。

在一些可能的实施例中，所述圆形待检测区域的半径大于所述圆环待检测区域的环宽。

在一些可能的实施例中，所述将每个待检测区域与标准晶圆的图像中的对应区域进行比较，包括：

获取所述待检测区域的红色信号分量、绿色信号分量、蓝色信号分量以及混合灰度信号分量；

将所述待检测区域的红色信号分量、绿色信号分量、蓝色信号分量以及混合灰度信号分量分别与所述标准晶圆的图像中的对应区域的红色信号分量标准范围、绿色信号分量标准范围、蓝色信号分量标准范围以及混合灰度分量标准范围进行对比；