[发明专利]存储器的制作方法及存储器

说明书

本公开实施例公开了一种存储器的制作方法及存储器，所述存储器的制作方法包括：在具有存储单元的第一衬底上形成钝化层；其中，所述存储单元位于所述第一衬底的第一表面，所述钝化层位于所述第一衬底的第二表面，所述第一衬底的第二表面为所述第一衬底的第一表面的相反表面；在所述第一衬底的第二表面且在所述钝化层上，形成具有第一悬挂键的第一阻挡层；在预设温度下对所述钝化层进行热处理；其中，所述钝化层中的氢粒子释放至所述第一阻挡层并与所述第一悬挂键结合形成第一共价键。

技术领域

本公开实施例涉及集成电路领域，特别涉及一种存储器的制作方法及存储器。

背景技术

随着半导体制造工艺的特征尺寸越来越小，存储器的存储密度都越来越高。通过沿着垂直于堆叠结构的方向设置多个存储单元制备的存储器，可以提高晶圆上的集成度，实现存储密度的提高，且降低了成本。

在存储器的制备过程中，由于存储单元中存在晶格缺陷等，需要会对存储单元进行钝化，以去除存储单元中的缺陷，保证存储器质量。相关技术中，对存储单元进行钝化的效果较差，难以保证存储器质量。

发明内容

有鉴于此，本公开实施例提供一种存储器的制作方法及存储器。

根据本公开实施例的第一方面，提供一种存储器的制作方法，包括：

在具有存储单元的第一衬底上形成钝化层；其中，所述存储单元位于所述第一衬底的第一表面，所述钝化层位于所述第一衬底的第二表面，所述第一衬底的第二表面为所述第一衬底的第一表面的相反表面；

在所述第一衬底的第二表面且在所述钝化层上，形成具有第一悬挂键的第一阻挡层；

在预设温度下对所述钝化层进行热处理；其中，所述钝化层中的氢粒子释放至所述第一阻挡层并与所述第一悬挂键结合形成第一共价键。

可选地，所述在所述第一衬底的第二表面且在所述钝化层上，形成具有第一悬挂键的第一阻挡层，包括：

利用磁控溅射法在所述钝化层上形成具有所述第一悬挂键的所述第一阻挡层；

或者，

利用等离子体增强化学气相沉积法在所述钝化层上形成具有所述第一悬挂键的所述第一阻挡层。

可选地，所述方法还包括：

在具有控制单元的第二衬底上形成具有第二悬挂键的第二阻挡层；其中，所述控制单元和所述第二阻挡层均位于所述第二衬底的第一表面，且所述控制单元位于所述第二阻挡层和所述第二衬底的第一表面之间；

将具有所述第二阻挡层的所述第二衬底与具有所述钝化层和所述第一阻挡层的所述第一衬底键合；

其中，所述第一衬底和所述第二衬底键合后，所述控制单元和所述存储单元之间形成有电连接，所述控制单元用于控制所述第一衬底中的所述存储单元进行数据存储；

所述在预设温度下对所述钝化层进行热处理，包括：

在所述预设温度下，对键合后的所述第一衬底和所述第二衬底进行所述热处理；其中，所述钝化层中的氢粒子还释放至所述第二阻挡层并与所述第二悬挂键结合形成第二共价键。

可选地，所述在具有控制单元的第二衬底上形成具有第二悬挂键的第二阻挡层，包括：

利用磁控溅射法在所述第二衬底上形成具有所述第二悬挂键的所述第二阻挡层；

或者，

利用等离子体增强化学气相沉积法在所述第二衬底上形成具有所述第二悬挂键的所述第二阻挡层。

可选地，所述方法还包括：