[发明专利]存储器的制作方法及存储器

权利要求书

1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：

在具有存储单元的第一衬底上形成钝化层；其中，所述存储单元位于所述第一衬底的第一表面，所述钝化层位于所述第一衬底的第二表面，所述第一衬底的第二表面为所述第一衬底的第一表面的相反表面；

在所述第一衬底的第二表面且在所述钝化层上，形成具有第一悬挂键的第一阻挡层；其中，所述第一悬挂键为硅的悬挂键；或者，所述第一悬挂键为氧的悬挂键；

在具有控制单元的第二衬底上形成具有第二悬挂键的第二阻挡层；其中，所述控制单元和所述第二阻挡层均位于所述第二衬底的第一表面，且所述控制单元位于所述第二阻挡层和所述第二衬底的第一表面之间；

将具有所述第二阻挡层的所述第二衬底与具有所述钝化层和所述第一阻挡层的所述第一衬底键合；

其中，所述第一衬底和所述第二衬底键合后，所述控制单元和所述存储单元之间形成有电连接，所述控制单元用于控制所述第一衬底中的所述存储单元进行数据存储；

在预设温度下对所述钝化层进行热处理，包括：

在所述预设温度下，对键合后的所述第一衬底和所述第二衬底进行热处理；其中，所述钝化层中的氢粒子释放至所述第一阻挡层并与所述第一悬挂键结合形成第一共价键；所述钝化层中的氢粒子还释放至所述第二阻挡层并与所述第二悬挂键结合形成第二共价键。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述第一衬底的第二表面且在所述钝化层上，形成具有第一悬挂键的第一阻挡层，包括：

利用磁控溅射法在所述钝化层上形成具有所述第一悬挂键的所述第一阻挡层；

或者，

利用等离子体增强化学气相沉积法在所述钝化层上形成具有所述第一悬挂键的所述第一阻挡层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在具有控制单元的第二衬底上形成具有第二悬挂键的第二阻挡层，包括：

利用磁控溅射法在所述第二衬底上形成具有所述第二悬挂键的所述第二阻挡层；

或者，

利用等离子体增强化学气相沉积法在所述第二衬底上形成具有所述第二悬挂键的所述第二阻挡层。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

在具有所述控制单元的所述第二衬底的第一表面上形成导电层；其中，所述控制单元，位于所述导电层和所述第二衬底的第一表面之间；

在所述导电层上形成第三阻挡层；其中，所述第三阻挡层，用于在所述第一衬底和所述第二衬底键合后阻挡所述导电层向所述第一衬底扩散；

所述在具有控制单元的第二衬底上形成具有第二悬挂键的第二阻挡层，包括：

在所述第三阻挡层上形成具有所述第二悬挂键的所述第二阻挡层；其中，所述第三阻挡层，位于所述导电层和所述第二阻挡层之间。

5.一种存储器，其特征在于，包括：

具有存储单元的第一衬底；其中，所述存储单元位于所述第一衬底的第一表面；

第一阻挡层，位于所述第一衬底的第二表面上，具有第一共价键；其中，所述第一衬底的第二表面为所述第一衬底的第一表面的相反表面；

钝化层，位于所述第一衬底的第二表面和所述第一阻挡层之间；

其中，所述第一共价键，由所述钝化层热处理前包含在所述第一阻挡层中的悬挂键和所述钝化层热处理中释放的氢粒子键合形成；其中，所述第一阻挡层中的悬挂键为硅的悬挂键；或者，所述第一阻挡层中的悬挂键为氧的悬挂键；

具有控制单元的第二衬底，与具有所述钝化层和所述第一阻挡层的所述第一衬底键合；其中，所述控制单元，位于所述第二衬底的第一表面，且所述控制单元与所述存储单元之间形成有电连接，用于控制所述第一衬底中的所述存储单元进行数据存储；

第二阻挡层，位于所述第二衬底的第一表面，且位于所述第一衬底的第一表面和所述控制单元之间，具有第二共价键；

其中，所述第二共价键，由所述第一衬底和所述第二衬底键合前包含在所述第二阻挡层中的第二悬挂键与所述钝化层热处理中产生的氢粒子键合形成。