[发明专利]驱动背板及其制备方法、显示面板、显示装置有效
| 申请号: | 202010002768.8 | 申请日: | 2020-01-02 |
| 公开(公告)号: | CN111162095B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
| 发明(设计)人: | 张扬;闫梁臣;周斌;王庆贺;程磊磊;李伟;孙涛 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;G09G3/3208 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 潘平 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 驱动 背板 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
1.一种驱动背板,其特征在于,包括:
衬底基板;
像素结构,位于所述衬底基板上,包括像素电路以及位于所述像素电路远离所述衬底基板一侧且与所述像素电路电连接的阳极;
第一绝缘层,位于所述衬底基板与所述阳极所在层之间,所述第一绝缘层设有环绕所述像素结构设置的凹槽;每个像素结构的所述阳极覆盖所述第一绝缘层且边缘延伸至环绕该像素结构的所述凹槽的内壁上;
所述驱动背板包括位于所述像素电路所在层与所述阳极所在层之间的平坦化层,所述平坦化层中设有环绕所述像素结构的第一槽体;所述第一绝缘层包括所述平坦化层,所述凹槽包括所述第一槽体;
所述驱动背板还包括位于所述像素电路所在层与所述平坦化层之间的钝化层,所述钝化层中设有环绕所述像素结构且与所述第一槽体层叠的第二槽体;所述第一槽体为贯穿所述平坦化层的通槽;所述第一绝缘层还包括所述钝化层,所述凹槽还包括所述第二槽体;
所述像素电路包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括有源层和源漏电极;
所述驱动背板包括位于所述有源层所在层与所述源漏电极所在层之间的层间绝缘层,所述层间绝缘层中设有环绕所述像素结构且与所述第二槽体层叠的第三槽体;所述第二槽体为贯穿所述钝化层的通槽;所述第一绝缘层还包括所述层间绝缘层;所述凹槽还包括所述第三槽体;
所述阳极为反射阳极。
2.如权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,还包括:
像素界定结构,位于所述阳极背离所述衬底基板的一侧,所述像素界定结构在衬底基板上的投影完全覆盖所述凹槽在衬底基板上的投影,且所述像素界定结构部分嵌设在所述凹槽内。
3.如权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述凹槽的纵截面呈倒梯形。
4.如权利要求1所述的驱动背板,其特征在于,所述平坦化层采用SOG材料或者感光材料。
5.如权利要求1-4任一项所述的驱动背板,其特征在于,所述阳极的材料为Mo/Al/ITO、Al/ITO或者合金/ITO。
6.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-5任一项所述的驱动背板。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求6所述的显示面板。
8.一种驱动背板的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
在衬底基板上制备像素结构和第一绝缘层;所述像素结构包括像素电路以及位于所述像素电路远离所述衬底基板一侧且与所述像素电路电连接的阳极;所述第一绝缘层位于所述衬底基板与所述阳极所在层之间,设有环绕所述像素结构设置的凹槽;每个像素结构的所述阳极覆盖所述第一绝缘层且边缘延伸至环绕该像素结构的所述凹槽的内壁上;
所述在衬底基板上制备像素结构和第一绝缘层,具体包括:
在所述衬底基板上依次制备有源层、层间绝缘层、源漏电极、钝化层和平坦化层;
通过构图工艺在所述平坦化层、钝化层和层间绝缘层的一层或几层中形成所述凹槽;
在所述平坦化层上制备所述阳极;
所述通过构图工艺在所述平坦化层、钝化层和层间绝缘层的一层或几层中形成所述凹槽,具体包括:
通过第一次曝光刻蚀工艺在所述平坦化层中刻蚀形成所述凹槽的图形;
通过第二次曝光刻蚀工艺在所述平坦化层和钝化层中形成暴露所述源漏电极的过孔,同时对所述凹槽的图形进一步刻蚀以使得所述凹槽的图形深入所述层间绝缘层;
所述阳极为反射阳极。
9.如权利要求8所述的制备方法,其特征在于,还包括:
在所述阳极所在层上制备像素界定结构;所述像素界定结构在衬底基板上的投影完全覆盖所述凹槽在衬底基板上的投影,且所述像素界定结构部分嵌设在所述凹槽内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





