[发明专利]驱动背板及其制备方法、显示面板、显示装置有效
| 申请号: | 202010002768.8 | 申请日: | 2020-01-02 |
| 公开(公告)号: | CN111162095B | 公开(公告)日: | 2022-11-11 |
| 发明(设计)人: | 张扬;闫梁臣;周斌;王庆贺;程磊磊;李伟;孙涛 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32;G09G3/3208 |
| 代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 潘平 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 驱动 背板 及其 制备 方法 显示 面板 显示装置 | ||
本发明涉及显示技术领域,公开一种驱动背板及其制备方法、显示面板、显示装置。其中,驱动背板包括:衬底基板;像素结构,位于所述衬底基板上,包括像素电路以及位于所述像素电路远离所述衬底基板一侧且与所述像素电路电连接的阳极;第一绝缘层,位于所述衬底基板与所述阳极所在层之间,所述第一绝缘层设有环绕所述像素结构设置的凹槽;所述阳极覆盖所述第一绝缘层且边缘延伸至所述凹槽的内壁上。上述驱动背板,可以避免由于光线干涉导致像素电路中的薄膜晶体管(TFT)光敏性能变差,有效提升TFT的稳定性,提高产品的显示质量。并且,可以在保证像素分辨率较大的同时,改善OLED发光性能。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种驱动背板及其制备方法、显示面板、显示装置。
背景技术
近年来大尺寸OLED因其高对比度、自发光等优点逐渐成为显示行业发展主流,而顶发射OLED由于较大的开口率逐渐成为发展重点。但顶发射OLED带来的问题是,从衬底基板一侧进入的环境光经过反射阳极反射后,反射在半导体有源层上,同时光线在遮光层(Shield)、栅极(Gate)和反射阳极之间反射,光强产生干涉增强,使薄膜晶体管(TFT)的光敏性能(NBTIS)变差。
发明内容
本发明公开了一种驱动背板及其制备方法、显示面板、显示装置,目的是改善驱动背板结构,提高OLED面板良率和性能。
为达到上述目的,本发明提供以下技术方案:
一种驱动背板,包括:
衬底基板;
像素结构,位于所述衬底基板上,包括像素电路以及位于所述像素电路远离所述衬底基板一侧且与所述像素电路电连接的阳极;
第一绝缘层,位于所述衬底基板与所述阳极所在层之间,所述第一绝缘层设有环绕所述像素结构设置的凹槽;所述阳极覆盖所述第一绝缘层且边缘延伸至所述凹槽的内壁上。
上述驱动背板中,在阳极所在层下方的第一绝缘层内设有凹槽,该凹槽环绕像素结构设置,阳极覆盖第一绝缘层且边缘延伸至凹槽的内壁上,即阳极边缘沿凹槽向下延伸并环绕像素电路设置,进而,外界光线难以从侧面照射进像素电路区域,从而可以避免由于光线干涉导致像素电路中的薄膜晶体管(TFT)光敏性能变差,有效提升TFT的稳定性,提高产品的显示质量。并且,阳极边缘沿凹槽向下延伸,可以在保证阳极正投影面积不变的情况下,使得阳极面积增大,增大电容,提升OLED发光器件性能,从而,可以在保证像素分辨率较大的同时,改善OLED发光性能。
可选的,所述驱动背板还包括:
像素界定结构,位于所述阳极背离所述衬底基板的一侧,所述像素界定结构在衬底基板上的投影完全覆盖所述凹槽在衬底基板上的投影,且所述像素界定结构部分嵌设在所述凹槽内。
可选的,所述凹槽的纵截面呈倒梯形。
可选的,所述驱动背板包括位于所述像素电路所在层与所述阳极所在层之间的平坦化层,所述平坦化层中设有环绕所述像素结构的第一槽体;
所述第一绝缘层包括所述平坦化层,所述凹槽包括所述第一槽体。
可选的,所述驱动背板包括位于所述像素电路所在层与所述平坦化层之间的钝化层,所述钝化层中设有环绕所述像素结构且与所述第一槽体层叠的第二槽体;
所述第一槽体为贯穿所述平坦化层的通槽;
所述第一绝缘层还包括所述钝化层,所述凹槽还包括所述第二槽体。
可选的,所述像素电路包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括有源层和源漏电极;
所述驱动背板包括位于所述有源层所在层与所述源漏电极所在层之间的层间绝缘层,所述层间绝缘层中设有环绕所述像素结构且与所述第二槽体层叠的第三槽体;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





