[发明专利]发光元件、发光装置、发光元件的制造方法

说明书

发光元件(2)的发光层(8)包括配位于量子点(14、16)的卤素配体和有机配体。所述发光层包括空穴传输层(10)侧的第一区域(14A)和电子传输层(6)侧的第二区域(16A)。在所述第一区域中，所述卤素配体的浓度高于所述有机配体的浓度，在所述第二区域中，所述卤素配体的浓度低于所述有机配体的浓度。

技术领域

本发明涉及一种包含量子点的发光元件以及包括该发光元件的发光装置。

背景技术

专利文献1中公开了一种具备发光层的发光元件，所述发光层包括在各表面上配位了配体的量子点。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本公表专利公报“特开2010-114079”

发明内容

本发明所要解决的技术问题

在如专利文献1所公开的现有的发光元件中，由于电子和空穴向发光层的注入效率的差异，在该发光层中电子过多，发光元件的外部量子效率降低。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，本发明的一方式涉及的发光元件包括：阴极、阳极、所述阴极与所述阳极之间的包括量子点的发光层、所述发光层与所述阴极之间的电子传输层、所述发光层与所述阳极之间的空穴传输层，所述发光层包括配位于所述量子点的卤素配体和有机配体，所述发光层包括所述空穴传输层侧的第一区域和所述电子传输层侧的第二区域，在所述第一区域中，所述卤素配体的浓度高于所述有机配体的浓度，在所述第二区域中，所述卤素配体的浓度低于所述有机配体的浓度。

另外，本发明的一方式涉及的发光元件的制造方法中，所述发光元件包括：阴极、阳极、所述阴极与所述阳极之间的包括量子点的发光层、所述发光层与所述阴极之间的电子传输层、所述发光层与所述阳极之间的空穴传输层，所述发光元件的制造方法包括在所述电子传输层的上层形成所述发光层的发光层形成工序，所述发光层形成工序包括：层叠工序，在所述电子传输层的上层层叠包括所述量子点的发光层，所述量子点配位有机配体；渗透工序，从所述发光层的表面朝向所述电子传输层，使卤化剂渗透；以及加热工序，在所述渗透工序之后对所述发光层进行加热。

发明效果

根据本发明的一方式，能够实现减少发光层中的电子过多并且改善了外部量子效率的发光元件。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式涉及的发光装置的概略剖面图。

图2是示出本发明的第一实施方式涉及的量子点的概略放大图。

图3是用于说明本发明第一实施方式涉及的发光层的形成方法的流程图。

图4是用于说明本发明第一实施方式涉及的发光层的形成方法的工序剖面图。

图5是用于说明本发明第一实施方式涉及的发光层的形成方法的另一工序剖面图。

图6是示出本发明的第一实施方式涉及的量子点的配体的卤化的概略图。

图7是用于说明本发明的第一实施方式涉及的、配体药物向发光层的渗透时间与配体药物在发光层中的渗透距离之间的关系的曲线图。

图8是用于说明本发明第一实施方式涉及的发光层中的配体药物的渗透时间与发光层中的量子点的状态之间的关系的概略剖面图。

图9是用于说明本发明第一实施方式涉及的发光层中的配体药物的渗透时间与发光层中的量子点的状态之间的关系的另一概略剖面图。

图10是用于说明本发明第一实施方式涉及的发光层中的配体药物的渗透时间与发光层中的量子点的状态之间的关系的另一概略剖面图。

图11是本发明第二实施方式涉及的发光装置的概略剖面图。

图12是示出本发明的第二实施方式涉及的量子点的概略放大图。

图13是本发明的第三实施方式涉及的发光装置的概略剖面图。

图14是本发明的第三实施方式涉及的红色发光层的概略放大图。