[发明专利]发光元件、发光装置、发光元件的制造方法在审
| 申请号: | 201980100045.7 | 申请日: | 2019-09-04 |
| 公开(公告)号: | CN114342560A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
| 发明(设计)人: | 本田大辅;上田吉裕 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | H05B33/14 | 分类号: | H05B33/14;H01L51/50;H05B33/10 |
| 代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 郝家欢 |
| 地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 元件 装置 制造 方法 | ||
1.一种发光元件,其包括:阴极、阳极、所述阴极与所述阳极之间的包括量子点的发光层、所述发光层与所述阴极之间的电子传输层、所述发光层与所述阳极之间的空穴传输层,所述发光元件的特征在于,
所述发光层包括配位于所述量子点的卤素配体和有机配体,
所述发光层包括所述空穴传输层侧的第一区域和所述电子传输层侧的第二区域,
在所述第一区域中,所述卤素配体的浓度高于所述有机配体的浓度,在所述第二区域中,所述卤素配体的浓度低于所述有机配体的浓度。
2.如权利要求1所述的发光元件,其特征在于,
所述卤素配体所包含的卤素选自F、Cl、Br和I中的至少一种以上。
3.如权利要求1或2所述的发光元件,其特征在于,
在所述第一区域所包含的所述量子点上配位的配体中,卤素配体的比例大于有机配体的比例。
4.如权利要求1至3中任一项所述的发光元件,其特征在于,
在所述第二区域所包含的所述量子点上配位的配体中,有机配体的比例大于卤素配体的比例。
5.如权利要求1至4中任一项所述的发光元件,其特征在于,
所述发光层在所述空穴传输层与所述第一区域之间包括仅配位所述卤素配体的量子点。
6.如权利要求1至5中任一项所述的发光元件,其特征在于,
所述发光层在所述电子传输层与所述第二区域之间包括仅配位所述有机配体的量子点。
7.如权利要求1至6中任一项所述的发光元件,其特征在于,
所述第一区域所包含的有机配体的数量少于所述第二区域所包含的有机配体的数量。
8.如权利要求1至7中任一项所述的发光元件,其特征在于,
在所述发光层中,从所述空穴传输层侧到所述电子传输层侧,卤素的浓度逐渐变低。
9.如权利要求1至8中任一项所述的发光元件,其特征在于,
所述发光层包括红色发光层和绿色发光层,
在所述发光层的厚度方向上,所述绿色发光层的所述第一区域所占的比例大于所述红色发光层的所述第一区域所占的比例。
10.如权利要求9所述的发光元件,其特征在于,
所述绿色发光层的所述第一区域的厚度大于所述红色发光层的所述第一区域的厚度。
11.如权利要求9或10所述的发光元件,其特征在于,
所述发光层还包括蓝色发光层,
在所述发光层的厚度方向上,所述绿色发光层的所述第一区域所占的比例小于所述蓝色发光层的所述第一区域所占的比例。
12.如权利要求11所述的发光元件,其特征在于,
所述蓝色发光层的所述第一区域的厚度大于所述红色发光层的所述第一区域的厚度。
13.如权利要求11或12所述的发光元件,其特征在于,
所述蓝色发光层的所述第一区域的厚度大于所述绿色发光层的所述第一区域的厚度。
14.如权利要求9至13中任一项所述的发光元件,其特征在于,
所述红色发光层的所述第一区域的厚度为所述红色发光层的厚度的1/5以上且1/3以下。
15.如权利要求9至14中任一项所述的发光元件,其特征在于,
所述绿色发光层的所述第一区域的厚度为所述绿色发光层的厚度的1/4以上且3/4以下。
16.如权利要求11至13中任一项所述的发光元件,其特征在于,
所述蓝色发光层的所述第一区域的厚度为所述蓝色发光层的厚度的1/2以上且4/5以下。
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