[发明专利]涂覆基板的方法和涂覆基板的涂覆设备

说明书

描述了一种用具有三个或更多个阴极组件的阴极阵列涂覆基板的方法，所述阴极组件具有可旋转的对应的磁体组件。所述方法包括：在关断所述阴极阵列时，将所述基板移动到第一位置；在第一角扇区中以往复运动的方式移动所述磁体组件中的第一磁体组件时，在第一操作中涂覆在所述第一位置的所述基板；在将所述基板移动到第二位置之前，关断所述阴极阵列；在关断所述阴极阵列时，将所述基板移动到所述第二位置；在另一个角扇区中以往复运动的方式移动所述第一磁体组件时，涂覆在所述第二位置的所述基板。

技术领域

本公开内容涉及一种涂覆基板的方法和一种用于涂覆基板的涂覆设备。更具体地，本公开内容涉及一种通过溅射用薄层涂覆基板的方法和一种用于涂覆基板的溅射设备。更具体地，本公开内容涉及磁控管溅射，其中溅射靶可以是可旋转靶。

背景技术

在基板上形成具有高均匀性(即，在延伸表面之上均匀的厚度和均匀的电性质)的层是许多技术领域的相关问题。例如，在薄膜晶体管(TFT)领域中，厚度均匀性和电性质均匀性可能是可靠地制造显示通道区域的问题。此外，均匀层典型地促成制造再现性。

一种用于在基板上形成层的方法是溅射，该方法已经发展为在多种多样的制造领域中(例如，在TFT制造中)的有益方法。在溅射期间，通过用高能粒子(例如，惰性气体或反应气体的激励离子)轰击溅射靶来将原子从该溅射靶的材料逐出。逐出的原子可沉积在基板上，使得可在基板上形成溅射材料层。

可能难以在广阔基板表面之上实现均匀溅射材料层(例如，由于溅射阴极阵列的溅射材料的不规则空间分布)。在诸如生长的晶体结构、沉积层的电阻率或其他电性质以及层的应力等特性方面具有高度的均一性可能是进一步有益的。

因此，另外的用于促成高度均匀的溅射材料层的方法和/或溅射设备是有益的，特别是对于溅射源阵列来说，其中基板通过静态沉积工艺或基本上静态的沉积工艺进行涂覆。

发明内容

鉴于以上内容，提供了一种涂覆基板的方法以及用于涂覆基板的涂覆设备。本公开内容的另外的方面、优点和特征从从属权利要求、描述和附图中显而易见。

根据一方面，提供了一种用具有三个或更多个阴极组件的阴极阵列涂覆基板的方法，所述阴极组件具有可旋转的对应的磁体组件。所述方法包括：在关断所述阴极阵列时，将所述基板移动到第一位置；在第一角扇区中以往复运动的方式移动所述磁体组件中的第一磁体组件时，在第一操作中涂覆在所述第一位置的所述基板；在将所述基板移动到第二位置之前，关断所述阴极阵列；在关断所述阴极阵列时，将所述基板移动到所述第二位置；在另一个角扇区中以往复运动的方式移动所述第一磁体组件时，涂覆在所述第二位置的所述基板。

根据一方面，提供了一种用具有以间距布置的三个或更多个阴极组件的阴极阵列涂覆基板的方法，所述阴极组件具有对应的磁体组件。所述方法包括；在关断所述阴极阵列时，定位所述基板；在所述基板定位在第一位置处时，接通所述阴极阵列来涂覆所述基板；在接通所述阴极阵列时，将所述基板从第一位置连续地移动到第二位置；或者在接通所述阴极阵列时，特别是在任意起始位置在所述第一位置和所述第二位置处或在两者间的情况下，将所述基板连续地移动完整循环，循环终点在所述第一位置和所述第二位置处；以及在所述第二位置处关断所述阴极阵列，其中在所述第一位置与所述第二位置之间的距离为N倍所述间距的距离值，N为≥2且≤5的整数，所述距离在所述间距的所述距离值±10％的偏差内。

根据一方面，提供了一种在大面积基板上制造显示器的方法。所述方法包括：用根据本公开内容的实施方式中的任一者的用具有三个或更多个阴极组件的阴极阵列涂覆基板的方法在所述大面积基板上沉积一个或多个层。

根据一方面，提供了一种用于涂覆基板的涂覆设备。所述设备包括：阴极阵列，所述阴极阵列具有三个或更多个阴极组件，所述阴极组件被配置为用于具有溅射靶的溅射沉积；至少第一磁体组件，所述至少第一磁体组件在所述三个或更多个阴极组件中的第一阴极组件内部；以及控制器，所述控制器执行根据本公开内容的实施方式中的任一者的涂覆基板的方法。