[发明专利]半导体装置

说明书

本发明提供半导体装置，具有：第一布线，形成于基板；第一电路区域，具备第一电源布线和第一接地布线；第二电路区域，具备第二电源布线和第二接地布线；以及双向二极管，连接在上述第一接地布线与上述第二接地布线之间，具备第一二极管和第二二极管，上述第一二极管具有与上述第二接地布线电连接的第一导电型的第一杂质区域和与上述第一接地布线电连接的第二导电型的第二杂质区域，上述第二二极管具有与上述第二接地布线电连接的上述第二导电型的第三杂质区域和与上述第一接地布线电连接的上述第一导电型的第四杂质区域，上述第一杂质区域、或上述第二杂质区域、或上述第三杂质区域、或上述第四杂质区域、或它们的任意组合与上述第一布线连接。

技术领域

本发明涉及半导体装置。

背景技术

存在半导体装置具有模拟电路用的域和逻辑电路用的域的情况。在该情况下，具有在模拟电路用的域的VSS的电源布线与逻辑电路用的域的VSS的电源布线之间设置双向二极管的情况。

电源布线主要设置在基板的上方，但近年来，提出了将电源布线埋入到基板中的半导体装置。存在将这样的结构的电源布线称为BPR(Buried Power Rail：掩埋式电源轨)的情况。

专利文献1：美国专利申请公开第2016/0372453号说明书

专利文献2：美国专利申请公开第2012/0033335号说明书

专利文献3：美国专利第9224725号说明书

专利文献4：美国专利申请公开第2018/0374791号说明书

专利文献5：美国专利申请公开第2018/0190670号说明书

专利文献6：美国专利申请公开第2018/0294267号说明书

专利文献7：美国专利申请公开第2017/0294448号说明书

专利文献8：美国专利第9570395号说明书

到目前为止，对于包含双向二极管的半导体装置使用如BPR那样的埋入布线的情况下的具体结构，未进行过详细的研究。

发明内容

本发明的目的在于提供能够实现包含埋入布线的双向二极管的半导体装置。

公开的技术的半导体装置具有：基板；第一布线，形成于上述基板；第一电路区域，具备第一电源布线和第一接地布线；第二电路区域，具备第二电源布线和第二接地布线；以及双向二极管，连接在上述第一接地布线与上述第二接地布线之间，且具备第一二极管和第二二极管。上述第一二极管具有：第一导电型的第一杂质区域，与上述第二接地布线电连接；以及第二导电型的第二杂质区域，上述第二导电型与上述第一导电型不同，上述第二杂质区域与上述第一接地布线电连接。上述第二二极管具有：上述第二导电型的第三杂质区域，与上述第二接地布线电连接；以及上述第一导电型的第四杂质区域，与上述第一接地布线电连接。上述第一杂质区域、或上述第二杂质区域、或上述第三杂质区域、或上述第四杂质区域、或这些区域的任意组合与上述第一布线连接。

根据公开的技术，能够实现包含埋入布线的双向二极管。

附图说明

图1是表示第一实施方式的半导体装置的布局的图。

图2是表示第一实施方式的半导体装置所包含的模拟电路区域的结构的电路图。

图3是表示第一实施方式中的一个二极管的平面结构的示意图。

图4是表示第一实施方式中的一个二极管的剖视图。

图5是表示第一实施方式中的另一个二极管的平面结构的示意图。

图6是表示第一实施方式中的另一个二极管的剖视图。