[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，具有：

基板；

第一布线，形成于上述基板；

第一电路区域，具备第一电源布线和第一接地布线；

第二电路区域，具备第二电源布线和第二接地布线；以及

双向二极管，连接在上述第一接地布线与上述第二接地布线之间，且上述双向二极管具备第一二极管和第二二极管，

上述第一二极管具有：

第一导电型的第一杂质区域，与上述第二接地布线电连接；以及

第二导电型的第二杂质区域，上述第二导电型与上述第一导电型不同，上述第二杂质区域与上述第一接地布线电连接，

上述第二二极管具有：

上述第二导电型的第三杂质区域，与上述第二接地布线电连接；以及

上述第一导电型的第四杂质区域，与上述第一接地布线电连接，

上述第一杂质区域、或上述第二杂质区域、或上述第三杂质区域、或上述第四杂质区域、或这些杂质区域的任意组合与上述第一布线连接。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

具有第二布线，上述第二布线形成于上述基板，

上述第一杂质区域或上述第二杂质区域中的一个区域与上述第一布线连接，

上述第三杂质区域或上述第四杂质区域中的一个区域与上述第二布线连接。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一布线与上述第二布线相互连接。

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其特征在于，具有：

第三布线，形成于上述基板，并连接上述第一杂质区域或上述第二杂质区域中的另一区域；以及

第四布线，形成于上述基板，并连接上述第三杂质区域或上述第四杂质区域中的另一区域。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

上述第三布线与上述第四布线相互连接。

6.根据权利要求2～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一二极管具有上述第一导电型的第五杂质区域，上述第五杂质区域形成于上述基板，

上述第二二极管具有上述第二导电型的第六杂质区域，上述第六杂质区域形成于上述基板，

上述第一杂质区域和上述第二杂质区域在上述第五杂质区域上相互分开配置，

上述第三杂质区域和上述第四杂质区域在上述第六杂质区域上相互分开配置。

7.根据权利要求2～5中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一杂质区域和上述第二杂质区域在上述基板上相互相邻配置，

上述第三杂质区域和上述第四杂质区域在上述基板上相互相邻配置。

8.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视时，上述第一布线在与上述第一杂质区域和上述第二杂质区域排列的方向不同的方向上延伸，

在俯视时，上述第一布线在与上述第三杂质区域和上述第四杂质区域排列的方向不同的方向上延伸。

9.根据权利要求6或7所述的半导体装置，其特征在于，

在俯视时，上述第一布线在与上述第一杂质区域和上述第二杂质区域排列的方向平行的方向上延伸，

在俯视时，上述第一布线在与上述第三杂质区域和上述第四杂质区域排列的方向平行的方向上延伸。

10.根据权利要求2～9中任一项所述的半导体装置，其特征在于，

上述第一杂质区域、上述第二杂质区域、上述第三杂质区域以及上述第四杂质区域形成于形成在上述基板上的多个鳍片中的任意一个鳍片。

11.根据权利要求10所述的半导体装置，其特征在于，

上述多个鳍片中与上述第一布线连接的第一鳍片的数量少于与上述第一鳍片相邻的第二鳍片的数量。