[发明专利]半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法

说明书

半导体装置(50)具备第1电路(1)、第2电路(2)、布线构件(3)和接合件(4)。布线构件(3)连接到第1电路(1)和第2电路(2)中的任意一方。接合件(4)连接到第1电路(1)和第2电路(2)中的任意另一方。布线构件(3)包含第1端(3A)、第2端(3B)以及顶点(3C)。第1端(3A)和第2端(3B)连接到第1电路(1)和第2电路(2)中的任意一方。顶点(3C)位于第1端(3A)和第2端(3B)之间。顶点(3C)经由接合件(4)连接到第1电路(1)和第2电路(2)中的任意另一方。

技术领域

本发明涉及半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法。

背景技术

以往，在使用电力用途的功率半导体元件的半导体装置中，以半导体装置的小型化为目的，要求功率半导体元件的高输出密度化(高电流密度化)。因此，对功率半导体元件施加大电流，因此在功率半导体元件的电路中使用板状的金属构件。

例如，在日本特开2015-138824号公报(专利文献1)中，记载有功率半导体元件与由板状的金属构件构成的电极通过键合导线连接的半导体装置。键合导线具有在2个点连接到功率半导体元件的环形状，并在环形状的顶点处接合到电极。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-138824号公报

发明内容

发明要解决的课题

在上述公报中所记载的半导体装置中，键合导线在环形状的顶点处接合到电极。因此，键合导线的顶点与电极的接合部中的接触面积小。因此，对于在对接合部反复地给予热的或机械性的疲劳时的接合部中的裂纹的进展的容许量小。因此，有接合部的耐热性低的课题。

本发明是鉴于上述文献而做出的，其目的是提供能够提高接合部的耐热性的半导体装置、具备该半导体装置的电力变换装置以及该半导体装置的制造方法。

用于解决课题的手段

本发明的半导体装置具备第1电路、第2电路、布线构件和接合件。布线构件连接到第1电路和第2电路中的任何一方。接合件连接到第1电路和第2电路中的任何另一方。布线构件包含第1端、第2端和顶点。第1端和第2端连接到第1电路和第2电路中的任何一方。顶点位于第1端和第2端之间。顶点经由接合件连接到第1电路和第2电路中的任何另一方。

发明效果

根据本发明的半导体装置，布线构件的顶点经由接合件连接到第1电路和第2电路中的任何另一方，因此布线构件的顶点与接合件的接合部的接触面积大。因此，对于在对接合部反复地给予热的或机械性的疲劳时的接合部中的裂纹的进展的容许量大。因此，能够提高接合部的耐热性。

附图说明

图1是概要地示出本发明的实施方式1的半导体装置的结构的剖面图。

图2是概要地示出本发明的实施方式1的半导体装置的结构的平面图。

图3是概要地示出本发明的实施方式1的半导体装置的结构的图1的III部分的放大立体图。

图4是图1的IV部分的放大图。

图5是概要地示出本发明的实施方式1的半导体装置的变形例的结构的与图1的III部分对应的放大立体图。

图6是示出本发明的实施方式1的半导体装置的制造方法的流程图。

图7是概要地示出本发明的实施方式2的半导体装置的结构的剖面图。

图8是概要地示出本发明的实施方式2的半导体装置的结构的图7的VIII部分的放大立体图。

图9是图7的IX部分的放大图。