[发明专利]半导体装置、电力变换装置以及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

第1电路；

第2电路；

布线构件，连接到所述第1电路和所述第2电路中的任意一方；以及

接合件，连接到所述第1电路和所述第2电路中的任意另一方，

所述布线构件包含：连接到所述第1电路和所述第2电路中的任一方的第1端和第2端；以及位于所述第1端和所述第2端之间的顶点，

所述顶点经由所述接合件连接到所述第1电路和所述第2电路中的任意另一方。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述顶点与所述接合件形成合金层，

所述合金层的主要构成要素是与所述布线构件同样的金属元素以及降熔点元素。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述布线构件是导线。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

所述布线构件是板状构件。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置还具备半导体元件，

所述半导体元件包含焊盘，

所述接合件配置在所述半导体元件的所述焊盘之上，

所述第1端以及所述第2端直接接合到所述第2电路，

所述顶点经由所述接合件和所述半导体元件而连接到所述第1电路。

6.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置还具备半导体元件，

所述半导体元件包含焊盘，

所述接合件配置在所述第2电路之上，

所述第1端和所述第2端直接接合到所述半导体元件的所述焊盘，

所述顶点经由所述接合件连接到所述第2电路。

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其中，

所述半导体元件是功率半导体元件。

8.根据权利要求5至7中的任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置还具备密封树脂，

所述密封树脂覆盖所述第1电路、所述第2电路、所述布线构件、所述接合件以及所述半导体元件。

9.根据权利要求5至8中的任一项所述的半导体装置，其中，

所述半导体装置还具备冷却器，

所述冷却器连接到所述第1电路，并且配置在相对于所述第1电路与所述半导体元件相反的一侧。

10.一种电力变换装置，具备：

主变换电路，具有权利要求1至9中的任一项所述的所述半导体装置，该主变换电路将输入的电力进行变换并输出；以及

控制电路，将控制所述主变换电路的控制信号输出到所述主变换电路。

11.一种半导体装置的制造方法，具备：

准备工序，准备第1电路、第2电路以及布线构件，所述布线构件包含第1端、第2端以及位于所述第1端和所述第2端之间的顶点；

连接工序，将所述布线构件的所述第1端和所述第2端连接到所述第1电路和所述第2电路中的任意一方；以及

液相扩散接合工序，将所述布线构件的所述顶点经由接合件连接到所述第1电路和所述第2电路中的任意另一方，通过液相扩散接合来接合所述顶点和所述接合件。

12.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述准备工序中，还准备包含焊盘的半导体元件，

在所述连接工序中，所述第1端和所述第2端直接接合到所述第2电路，

在所述液相扩散接合工序中，所述接合件配置在所述半导体元件的所述焊盘之上。

13.根据权利要求11所述的半导体装置的制造方法，其中，

在所述准备工序中，还准备包含焊盘的半导体元件，

在所述连接工序中，所述第1端和所述第2端直接接合到所述半导体元件的所述焊盘，

在所述液相扩散接合工序中，所述接合件配置在所述第2电路之上。