[发明专利]磁悬浮系统、用于磁悬浮系统的载体和操作磁悬浮系统的方法在审
| 申请号: | 201980093452.X | 申请日: | 2019-03-01 |
| 公开(公告)号: | CN113574650A | 公开(公告)日: | 2021-10-29 |
| 发明(设计)人: | 亚历山大·森多布里;乔格·舒勒;马丁·恩斯特;克里斯蒂安·沃尔夫冈·埃曼;布里塔·斯帕 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677;F16F7/104 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 磁悬浮 系统 用于 载体 操作 方法 | ||
1.一种磁悬浮系统(100),包括
基部结构(110);
载体(120),所述载体在运输方向(T)上相对于所述基部结构(110)可移动;和
至少一个主动磁轴承(112),所述至少一个主动磁轴承被构造成产生作用在保持方向(V)上的磁保持力,以用于将所述载体(120)保持在所述基部结构(110)处,
其中所述载体和所述基部结构中的至少一个包括多个阻尼单元(130),所述多个阻尼单元中的第一阻尼单元(131)被调谐到第一频率或第一频率范围,并且所述多个阻尼单元中的第二阻尼单元(132)被调谐到第二频率或第二频率范围。
2.如权利要求1所述的磁悬浮系统,其中所述第一阻尼单元(131)和所述第二阻尼单元(132)被调谐到所述载体(120)的不同固有频率、特别是在50Hz与250Hz之间的频率范围内的不同固有频率。
3.如权利要求1或2所述的磁悬浮系统,其中所述第一阻尼单元(131)和所述第二阻尼单元(132)被取向成阻尼在所述保持方向(V)上的振动。
4.如权利要求1至3中任一项所述的磁悬浮系统,其中所述多个阻尼单元(130)包括三个或更多个阻尼单元、特别是八个或更多个阻尼单元,所述多个阻尼单元(130)被调谐到三个或更多个不同频率、特别是八个或更多个不同频率。
5.如权利要求4所述的磁悬浮系统,其中所述多个阻尼单元(130)包括八个或更多个阻尼单元,所述八个或更多个阻尼单元被调谐到在从65Hz至200Hz的频率范围内的八个或更多个不同频率,特别地其中所述8个或更多个不同频率分布在从65Hz至200Hz的所述频率范围内。
6.如权利要求1至5中任一项所述的磁悬浮系统,其中所述载体(120)包括被构造成与所述至少一个主动磁轴承(112)相互作用的头部部分(121),其中所述多个阻尼单元(130)中的三个或更多个阻尼单元以线性阵列布置在所述头部部分(121)处。
7.如权利要求1至6中任一项所述的磁悬浮系统,其中所述多个阻尼单元(130)包括在所述运输方向(T)上布置在所述载体(120)的中心部分中的至少一个中心阻尼单元(133)和布置在所述载体(120)的前部部分或后部部分中的至少一个边缘阻尼单元(134),其中所述边缘阻尼单元(134)被调谐到比所述中心阻尼单元(133)高的频率。
8.如权利要求1至7中任一项所述的磁悬浮系统,其中所述载体(120)包括多个隔室(125),每个隔室容纳所述多个阻尼单元(130)中被调谐到不同频率的两个或更多个阻尼单元。
9.如权利要求1至8中任一项所述的磁悬浮系统,其中所述多个阻尼单元(130)是被动阻尼单元、特别是吸振器、更特别地是安装在所述载体(120)和/或所述基部结构处的调谐的质量阻尼器(135)。
10.如权利要求1至9中任一项所述的磁悬浮系统,其中所述多个阻尼单元(130)分别包括:
-阻尼块(145);
-至少一个弹簧元件(141),所述至少一个弹簧元件将所述阻尼块(145)可移动地连接至所述载体(120)或所述基部结构;和
-阻尼机构(142),所述阻尼机构用于阻尼所述阻尼块(145)的振动。
11.如权利要求10所述的磁悬浮系统,其中所述阻尼机构包括被构造成在导体元件中感生电流的磁体元件。
12.如权利要求1至11中任一项所述的磁悬浮系统,其中所述多个阻尼单元(130)包括被调谐到以下项中的至少一个的至少一个阻尼单元:
所述载体的基本固有频率;和
在5Hz与30Hz之间的范围内的频率。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





