[发明专利]半导体装置及半导体装置的诊断方法

说明书

提供用于提高半导体装置的劣化诊断的精度的技术。本申请说明书所公开的技术涉及的半导体装置具有：壳体(10)；壳体内部的半导体芯片(2、3)；金属导线(7)，其与半导体芯片的上表面接合；壳体内部的至少1个试验件(13‑13E)；以及一对端子(14‑14E、15‑15E)，其设置于壳体的外部，并且与试验件连接，试验件在壳体的内部与金属导线(7)分离。

技术领域

本申请说明书所公开的技术涉及半导体装置及半导体装置的诊断方法。

背景技术

就现有的功率半导体装置而言，使用功率半导体装置内部的导线配线，进行由发热引起的劣化的诊断或功率循环寿命的劣化诊断。

由于硅(Si)芯片的线膨胀系数和铝导线的线膨胀系数存在差异，因此由于反复施加热应力而使铝导线产生劣化。基于由该反复的热应力引起的在铝导线配线产生的龟裂，能够进行上述劣化诊断(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2009-22084号公报

发明内容

如果想要将上述那样的使用导线配线的劣化诊断方法应用于由腐蚀气体导致的劣化的诊断，则存在如下问题。

即，由于上述那样的导线配线主要固定配置于半导体芯片的上表面等，因此未必能够配置在适于劣化诊断的部位，例如劣化容易加深的部位。因此，有时劣化诊断的精度变低。

本申请说明书所公开的技术就是鉴于以上所记载那样的问题而提出的，其目的在于提供用于提高半导体装置的劣化诊断的精度的技术。

本申请说明书所公开的技术的第1方式具有：壳体；所述壳体内部的半导体芯片；金属导线，其与所述半导体芯片的上表面接合；所述壳体内部的至少1个试验件；以及一对端子，其设置于所述壳体的外部，并且与所述试验件连接，所述试验件在所述壳体的内部与所述金属导线分离。

另外，本申请说明书所公开的技术的第2方式为使用壳体内部的至少1个试验件进行半导体装置的劣化诊断的诊断方法，在该诊断方法中，所述试验件在所述壳体的内部与接合于半导体芯片的上表面的金属导线分离，使用设置于所述壳体的外部并且与所述试验件连接的一对端子，进行包含所述半导体芯片的所述半导体装置的劣化诊断。

发明的效果

本申请说明书所公开的技术的第1方式具有：壳体；所述壳体内部的半导体芯片；金属导线，其与所述半导体芯片的上表面接合；所述壳体内部的至少1个试验件；以及一对端子，其设置于所述壳体的外部，并且与所述试验件连接，所述试验件在所述壳体的内部与所述金属导线分离。根据这样的结构，通过对在壳体的内部以与金属导线分离的方式设置的试验件的电阻值的变动量进行计算，能够高精度地对半导体装置的内部结构的劣化进行预测。

另外，本申请说明书所公开的技术的第2方式为使用壳体内部的至少1个试验件进行半导体装置的劣化诊断的诊断方法，在该诊断方法中，所述试验件在所述壳体的内部与接合于半导体芯片的上表面的金属导线分离，使用设置于所述壳体的外部并且与所述试验件连接的一对端子，进行包含所述半导体芯片的所述半导体装置的劣化诊断。根据这样的结构，通过对在壳体的内部以与金属导线分离的方式设置的试验件的电阻值的变动量进行计算，能够高精度地对半导体装置的内部结构的劣化进行预测。

另外，通过以下所示的详细的说明和附图，本申请说明书所公开的技术涉及的目的、特征、方案、优点会更清楚。

附图说明

图1是概略地表示实施方式涉及的半导体装置的结构的例子的侧视图。

图2是与图1中所例示的结构对应的俯视图。

图3是与图1中所例示的结构对应的电路图。

图4是概略地表示实施方式涉及的半导体装置的结构的例子的侧视图。

图5是与图4中所例示的结构对应的俯视图。