[发明专利]半导体装置及半导体装置的诊断方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其具有：

壳体(10)；

所述壳体(10)内部的半导体芯片(2、3)；

金属导线(7)，其与所述半导体芯片(2、3)的上表面接合；

所述壳体(10)内部的至少1个试验件(13-13E)；以及

一对端子(14-14E、15-15E)，其设置于所述壳体(10)的外部，并且与所述试验件(13-13E)连接，

所述试验件(13-13E)在所述壳体(10)的内部与所述金属导线(7)分离。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

还具有：电极图案(4)，其与所述半导体芯片(2、3)的下表面接合。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

一对所述端子(14B、15B)中的至少一者还与所述电极图案(4)连接。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

所述试验件(13C)为与所述半导体芯片(2、3)的下表面接合的电极图案(4)的一部分。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体装置，其中，

所述试验件(13D、13E)由彼此绝缘的多个金属片构成。

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

多个所述金属片中的至少2个由互不相同的金属构成。

7.根据权利要求5或6所述的半导体装置，其中，

多个所述金属片相对于一对所述端子(14D、15D)而串联排列。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

由互不相同的金属构成的所述金属片彼此交替地串联排列。

9.根据权利要求5至8中任一项所述的半导体装置，其中，

多个所述金属片相对于一对所述端子(14E、15E)而并联排列。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，

由互不相同的金属构成的所述金属片彼此并联排列。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的半导体装置，其中，

具有多个所述试验件(13A)，

多个所述试验件(13A)彼此分离。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，

多个所述试验件(13A)由同种金属构成。

13.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，

多个所述试验件(13A)由不同的金属构成。

14.一种半导体装置的诊断方法，使用壳体(10)内部的至少1个试验件(13-13E)进行半导体装置的劣化诊断，

在该诊断方法中，

所述试验件(13-13E)在所述壳体(10)的内部与接合于半导体芯片(2、3)的上表面的金属导线(7)分离，

使用设置于所述壳体(10)的外部并且与所述试验件(13-13E)连接的一对端子(14-14E、15-15E)，进行包含所述半导体芯片(2、3)的所述半导体装置的劣化诊断。