[发明专利]谐振装置和谐振装置制造方法

说明书

本发明提供能够抑制谐振器的振动空间的真空度降低的谐振装置和谐振装置制造方法。谐振装置(1)具备：包含谐振器(10)的MEMS基板(50)，在与MEMS基板(50)对置的面包含氧化硅膜(L31)的上盖(30)，以及将MEMS基板(50)与上盖(30)接合以便密封谐振器(10)的振动空间的接合部(60)；氧化硅膜(L31)包含在俯视上盖(30)时形成于振动空间的周围的至少一部分且贯通至上盖(30)的背面的贯通孔(TH1)，贯通孔(TH1)包含第1金属层(80)。

技术领域

本发明涉及谐振装置和谐振装置制造方法。

背景技术

以往，使用MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技术制造的谐振装置得到了普及。该装置例如在具有谐振器的下侧基板接合上侧基板而形成。

例如，在专利文献1中公开了一种晶片的接合方法，包括：准备在表面形成有具有第1刚性率的第1金属层的第1晶片以及在表面形成有具有比第1刚性率高的第2刚性率的第2金属层的第2晶片的工序；不除去第1金属层的表面的氧化膜，而除去第2金属层的表面的氧化膜的工序；以及将第1晶片的表面与第2晶片的表面接合的工序。另外，专利文献1中，作为将上侧基板以其周缘部接在压电谐振器的支承框上的方法，通过由以铝(Al)为主成分的金属形成的第1金属层和由以锗(Ge)为主成分的金属形成的第2金属的共晶接合而将压电谐振器与上侧基板接合。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2016/080506号

发明内容

如专利文献1那样将铝(Al)与锗(Ge)进行共晶接合时，如果想要在硅基板上形成共晶层，则硅(Si)向共晶层扩散。因此，提出了在硅基板上形成二氧化硅(SiO₂)等氧化膜而抑制向共晶层扩散的方法。

然而，已知二氧化硅(SiO₂)等氧化膜会使氦等气体透过。因此，在存在氦气的环境下时，有时氦气从氧化膜侵入，谐振器的振动空间的真空度降低。真空度降低的结果，有可能使装置内部的谐振器的Q值等振动特性劣化。

本发明是鉴于这样的情况而作出的，其目的在于提供能够抑制谐振器的振动空间的真空度降低的谐振装置和谐振装置制造方法。

本发明的一个方面的谐振装置具备：包含谐振器的第1基板，在与第1基板对置的面包含第1氧化膜的第2基板，以及将第1基板与第2基板接合以便密封谐振器的振动空间的接合部；第1氧化膜包含在俯视第2基板时形成于振动空间的周围的至少一部分且贯通至面的第1贯通孔，第1贯通孔包含第1金属。

本发明的另一个方面的谐振装置制造方法包括：准备包含谐振器的第1基板的工序，准备在与第1基板对置的面包含第1氧化膜的第2基板的工序，以及将第1基板与第2基板接合以便密封谐振器的振动空间的工序；准备第2基板的工序包括：在俯视第2基板时在第1氧化膜的振动空间的周围的至少一部分形成贯通至面的第1贯通孔，以及在第1贯通孔形成第1金属。

根据本发明，能够抑制谐振器的振动空间的真空度降低。

附图说明

图1是概略地表示本发明的一个实施方式的谐振装置的外观的立体图。

图2是概略地表示图1所示的谐振装置的结构的分解立体图。

图3是概略地表示图所示的谐振器的结构的俯视图。

图4是概略地表示图1～图3所示的谐振装置的沿着IV－IV线的截面的构成的截面图。

图5是表示图4所示的接合部的周边的构成的主要部分放大截面图。

图6是概略地表示俯视图1～图4所示的上盖的背面时的构成的俯视图。

图7是表示本发明的一个实施方式的谐振装置的制造方法的流程图。

图8是用于说明图7所示的工序的截面图。

图9是用于说明图7所示的工序的截面图。

图10是用于说明图7所示的工序的截面图。

图11是用于说明图7所示的工序的截面图。