[发明专利]用于生产基于III-N化合物的半导体组件的过程

说明书

本发明涉及一种用于生产半导体组件(170)的过程，包括以下连续步骤：a)提供包括由III‑N化合物制成的第一半导体层(105)和涂覆第一层的第二导电层(107)的堆叠；b)形成穿过第二层(107)并在第一层(105)处中断的沟槽(110)，所述沟槽侧向界定第二层(107)中的接触金属化部；c)在所述沟槽(110)中形成由与第二层(107)的材料不同的材料制成的、与接触金属化部的侧部接触的金属间隔部(111)；以及d)将所述沟槽(110)延伸通过第一层(105)的厚度的至少一部分。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求法国专利申请FR18/73668的优先权权益，该申请通过引用并入本文。

技术领域

本发明总体上涉及半导体组件领域，并且更特别地，本发明旨在一种制造基于III-N化合物的半导体组件的方法，以及一种通过这个方法形成的组件。

背景技术

已经提供了基于一种或多种III-N化合物的半导体组件的许多结构，例如发光二极管、光敏二极管、功率二极管、功率晶体管等。

然而，这种组件的制造出现了一些问题，特别是与III-N化合物的刻蚀和与III-N化合物接触的连接金属化部(métallisation)的形成有关的问题。

发明内容

实施例提供了一种半导体组件制造方法，包括以下连续步骤：

a)形成包括由III-N化合物制成的第一半导体层、涂覆第一层的第二导电层和涂覆第二层的第三硬掩模层的堆叠；

b)形成穿过第三层和第二层并在第一层上中断的沟槽，所述沟槽侧向界定第二层中的接触金属化部；

c)在所述沟槽中形成由与第二层的材料不同的材料制成的、与第三层和第二层的侧部接触的金属间隔部；以及

d)将所述沟槽延续通过第一层的厚度的至少一部分。

根据实施例，步骤c)包括：

-在第三层的上表面上以及在所述沟槽的侧壁上和底部处沉积由与第二层的材料不同的材料制成的金属层的步骤；以及

-对金属层的垂直各向异性刻蚀的步骤，在该步骤结束时，仅保留涂覆所述沟槽的侧壁的金属层的垂直部分。

根据实施例，该方法还包括在步骤d)之后，化学清洗第一层在沟槽内的暴露表面的步骤。

根据实施例，化学清洗的步骤通过基于氢氧化钾的溶液或通过基于氢氧化四甲铵的溶液或通过基于氢氧化四乙基铵的溶液来实行。

根据实施例，第二层包括铝或银。

根据实施例，间隔部由选自铂、镍和钨的金属制成。

根据实施例，在步骤d)实施的刻蚀是干法刻蚀。

根据实施例，该方法还包括在步骤a)和步骤b)之间，在从200℃至900℃的范围内的温度下退火第二层的步骤。

根据实施例，堆叠还包括在第一层的与第二层相对的一侧的由与第一层的III-N化合物不同的III-N化合物制成的第三层，并且在步骤d)实施的刻蚀完全穿过第一层和第三层的厚度的至少一部分。

根据实施例，堆叠还包括在第三层的与第一层相对的一侧的由与第三层的III-N化合物不同的III-N化合物制成的第四层，并且在步骤d)实施的刻蚀完全穿过第三层和第四层的厚度的至少一部分。

另一实施例提供了一种半导体组件，包括：

-包括由III-N化合物制成的第一半导体层、涂覆第一层的第二导电层和涂覆第二层的第三硬掩模层的堆叠；