[发明专利]膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物以及聚有机硅氧烷固化物膜的制造方法

说明书

本发明的目的在于，提供一种固化前为低粘度，固化后的机械强度和介质击穿强度优异，能提供均匀且薄膜状的聚有机硅氧烷固化物膜的膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物。一种膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物以及使用该膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物的聚有机硅氧烷固化物膜的制造方法，该膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物包含：固化反应性聚有机硅氧烷；固化剂；(D1)通过有机硅化合物进行了表面处理的、BET比表面积超过100m²/g的增强性微粒以及(D2)通过有机硅化合物进行了表面处理的、BET比表面积在10～100m²/g的范围内的增强性微粒，并且，(D1)成分与(D2)成分的质量比在50：50～99：1的范围内，(D1)成分与(D2)成分之和在10～40质量％的范围内。

技术领域

本发明涉及一种固化前为低粘度，固化后机械强度和介质击穿强度优异，能提供均匀且薄膜状的聚有机硅氧烷固化物膜的膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物、使用该膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物的聚有机硅氧烷固化物膜的制造方法以及聚有机硅氧烷固化物膜的用途。

背景技术

具有聚硅氧烷骨架的聚有机硅氧烷固化物透明性、电绝缘性、耐热性、耐寒性等优异，能根据期望通过引入氟代烷基等高介电性官能团来改善电活性，且能容易加工为膜状或片状，因此以用于各种电气/电子设备的粘接剂膜、用于致动器等换能器设备的电活性膜为代表，用于各种用途，这些聚有机硅氧烷固化物根据其固化机理，分类为氢化硅烷化反应固化型、缩合反应固化型、过氧化物固化型等。通过室温放置或加热而迅速固化，不产生副产物，因此使用氢化硅烷化反应固化型的固化性聚有机硅氧烷组合物的聚有机硅氧烷固化物膜被通用。

特别是，作为触摸面板等的电子材料、显示装置用电子构件、特别是传感器、致动器等换能器材料，就聚有机硅氧烷固化物膜而言，在作为除了高度的均匀性以外还具有100μm以下的厚度的薄膜膜而利用的情况下，其介质击穿强度不充分，在高的电荷电压电压下使用该聚有机硅氧烷固化物膜的情况下，有时在这些缺陷中发生介质击穿，存在无法充分发挥对聚有机硅氧烷固化物所期待的高的光学透明性、电绝缘性、耐热性、耐寒性等各特性的问题。

另一方面，本案申请人等在专利文献1中提出了介电性填料的组合，对于该聚有机硅氧烷固化物膜的介电常数的改善是有效的方法，但对于所得到的聚有机硅氧烷固化物膜的介质击穿强度的改善既没有记载也没有启示。而且，在专利文献1和非专利文献1中记载了利用硅氮烷等有机硅化合物进行的增强性填料的处理，但对于并用两种实施了特定的表面处理且BET比表面积不同的增强性填料以及与之相伴的特异的技术效果，也没有任何记载和启示。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2016-505693号公报

非专利文献

非专利文献1：Actuator 2012,13th International Conference on NewActuators，Bremen，Germany，18～20June 2012，pp.374～378

发明内容

发明所要解决的问题

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于，提供一种均匀且能薄膜化，并且能形成具备高的机械强度和介质击穿强度的固化物的膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物以及使用该膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物的聚有机硅氧烷固化物膜的制造方法。

用于解决问题的方案