[发明专利]膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物以及聚有机硅氧烷固化物膜的制造方法

权利要求书

1.一种膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物，所述膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物包含：

固化反应性聚有机硅氧烷；固化剂；

D1成分，通过一种以上的有机硅化合物进行了表面处理的、平均BET比表面积超过100m²/g的增强性微粒或其复合体；和

D2成分，通过一种以上的有机硅化合物进行了表面处理的、平均BET比表面积在10～100m²/g的范围内的增强性微粒或其复合体，

并且，D1成分与D2成分的质量比在50：50～99：1的范围内，

相对于组合物中的通过固化反应形成非挥发性的固体成分的成分之和，D1成分与D2成分之和在10～40质量％的范围内，

25℃、剪切速率10.0s^-1下的组合物整体的粘度在50.0Pa·s以下的范围内。

2.根据权利要求1的膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物，其中，

所述膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物形成如下固化物膜：在室温下，通过具有依据JIS 2101-82标准规格的程序的电绝缘油击穿电压试验装置测定的介质击穿强度在56～200V/μm的范围内。

3.根据权利要求1或2所述的膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物，其中，

作为成分D1或成分D2的增强性微粒或其复合体为气相二氧化硅或气相二氧化硅与金属氧化物的复合体。

4.根据权利要求1所述的膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物，其中，

用于D1成分和D2成分的表面处理的有机硅化合物至少含有选自六甲基二硅氮烷和1,3-双(3,3,3-三氟丙基)-1,1,3,3-四甲基二硅氮烷中的一种以上。

5.根据权利要求1所述的膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物，其特征在于，

固化反应性聚有机硅氧烷与固化剂通过选自氢化硅烷化反应固化、缩合反应固化、自由基反应固化以及高能量射线固化反应中的一种以上的固化反应机理来得以固化。

6.根据权利要求1所述的膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物，其中，

固化后所得到的聚有机硅氧烷固化物膜在1kHz、25℃下测定的相对介电常数为3以上。

7.根据权利要求1所述的膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物，其中，

固化反应性聚有机硅氧烷和固化剂为以下成分：

成分A，分子内具有至少两个包含碳-碳双键的固化反应性基团的聚有机硅氧烷；

成分B，分子中具有至少两个硅键合氢原子的有机氢聚硅氧烷，相对于组合物中的碳-碳双键的合计量1摩尔，本成分中的硅原子键合氢原子成为0.1～2.5摩尔的量；和

成分C，有效量的氢化硅烷化反应用催化剂。

8.根据权利要求7所述的膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物，其中，

所述成分A为含有以下成分a1的聚有机硅氧烷或其混合物，

成分a1：仅在分子链末端具有烯基的直链状或支链状的聚有机硅氧烷。

9.根据权利要求7或8所述的膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物，其中，

所述成分A或成分B的一部分或全部为具有高介电性官能团的聚有机硅氧烷或有机氢聚硅氧烷。

10.根据权利要求7或8所述的膜形成用固化性聚有机硅氧烷组合物，其中，

所述成分A或成分B的一部分或全部为分子中具有由(C_pF_2p+1)-R-表示的氟代烷基的聚有机硅氧烷或有机氢聚硅氧烷，其中，R为碳原子数1～10的亚烷基，p为1以上且8以下的整数。