[发明专利]单晶X射线结构解析装置和方法、用于此的试样保持架以及敷料器在审
| 申请号: | 201980088767.5 | 申请日: | 2019-11-21 |
| 公开(公告)号: | CN113287005A | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
| 发明(设计)人: | 佐藤孝 | 申请(专利权)人: | 株式会社理学 |
| 主分类号: | G01N23/20025 | 分类号: | G01N23/20025;G01N23/205;G01N23/207;G01N1/28 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张远 |
| 地址: | 日本国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 射线 结构 解析 装置 方法 用于 试样 保持 以及 敷料 | ||
1.一种单晶X射线结构解析装置,是进行物质的结构解析的单晶X射线结构解析装置,其特征在于,具备:
X射线源,产生X射线;
试样保持架,包括能够在形成于内部的多个微细孔吸藏试样的细孔性络合物结晶,保持所述试样;
测角仪,安装并转动所述试样保持架;
X射线照射部,对安装于所述测角仪的所述试样保持架所保持的所述试样照射来自所述X射线源的X射线;
X射线检测测定部,检测通过所述试样衍射或者散射的X射线来进行测定;
结构解析部,基于由所述X射线检测测定部测定出的衍射或者散射X射线来进行所述试样的结构解析;以及
信息取得部,取得与所述细孔性络合物结晶相关的信息。
2.根据权利要求1所述的单晶X射线结构解析装置,其中,
所述试样的X射线的检测以及测定、或者所述试样的结构解析基于所述信息取得部所取得的信息来进行。
3.根据权利要求1或者2所述的单晶X射线结构解析装置,其中,
所述信息取得部所取得的与所述细孔性络合物结晶相关的信息是装在所述试样保持架或者在内部收纳所述试样保持架的敷料器的信息保持部中所保持的信息。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的单晶X射线结构解析装置,其中,
与所述细孔性络合物结晶相关的信息包括所述细孔性络合物结晶的种类、制造者、制造场所、制造日期时间、批号、支持信息中的至少一个。
5.根据权利要求3所述的单晶X射线结构解析装置,其中,
所述信息保持部是在所述试样保持架或者所述敷料器中显示的条形码,
与所述细孔性络合物结晶相关的信息包含在所述条形码中。
6.根据权利要求3所述的单晶X射线结构解析装置,其中,
所述信息保持部是安装于所述试样保持架或者所述敷料器的半导体存储装置,
与所述细孔性络合物结晶相关的信息保存在所述半导体存储装置中。
7.根据权利要求3所述的单晶X射线结构解析装置,其中,
所述信息保持部是所述试样保持架或者所述敷料器的外观的颜色,
与所述细孔性络合物结晶相关的信息作为所述外观的颜色进行显示。
8.一种试样保持架,是在单晶X射线结构解析装置中使用的试样保持架,其特征在于,具备:
基台部,安装于所述单晶X射线结构解析装置的测角仪;
结晶保持部,形成于所述基台部,保持能够在形成于内部的多个微细孔吸藏所述试样的细孔性络合物结晶;以及
信息保持部,保持与所述细孔性络合物结晶相关的信息。
9.根据权利要求8所述的试样保持架,其中,
与所述细孔性络合物结晶相关的信息包括所述细孔性络合物结晶的种类、制造者、制造场所、制造日期时间、批号、支持信息中的至少一个。
10.根据权利要求8或者9所述的试样保持架,其中,
所述信息保持部包括显示于所述试样保持架的条形码、安装于所述试样保持架的半导体存储装置或者所述试样保持架的外观的颜色中的至少一个。
11.一种敷料器,是收容在单晶X射线结构解析装置中使用的试样保持架的敷料器,其特征在于,具备:
收容部,收容所述试样保持架;以及
信息保持部,保持与所述试样保持架的结晶保持部中所保持的细孔性络合物结晶相关的信息。
12.根据权利要求11所述的敷料器,其中,
与所述细孔性络合物结晶相关的信息包括所述细孔性络合物结晶的种类、制造者、制造场所、制造日期时间、批号、支持信息中的至少一个。
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