[发明专利]气相沉积装置及外延硅晶片的制造方法

说明书

本发明提供一种气相沉积装置，该气相沉积装置包括圆板状的基座（3）及支承基座（3）并使其旋转的基座支承部件，在基座（3）上设置有多个嵌合沟（32），在基座支承部件上设置有分别嵌入于多个嵌合沟（32）的多个支承销（53），在嵌合沟（32）中设置：倾斜部（321B），以基座（3）的自身重量来维持支承销（53）与倾斜部（321B）接触的状态，并使该支承销（53）相对于该嵌合沟（32）沿基座（3）的圆周方向相对移动；及定位部（321A），将由倾斜部（321B）相对移动的支承销（53）定位于圆周方向的特定位置上，倾斜部（321B）及定位部（321A）向基座（3）的径向连续形成。

技术领域

本发明涉及一种气相沉积装置及外延硅晶片的制造方法。

背景技术

在气相沉积装置中，载置硅晶片的圆板状的基座构成为由基座支承部件从下方支承且与基座支承部件一起旋转。研究抑制在这种结构中基于基座支承部件的旋转中心与基座中心的错位（例如，参考专利文献1）。

在专利文献1的气相沉积装置中，在基座下表面设置有圆环状的环状沟。环状沟的沿基座的径向的纵剖面形状形成为圆弧状。在基座支承部件上沿基座的圆周方向等间隔地设置有嵌入于环状沟的3个头部。头部的末端形成为半径比环状沟的圆弧半径小的球面状。

通过这种环状沟及头部的结构，以基座的自身重量移动头部与环状沟的抵接部分至环状沟底部，抑制基于基座支承部件的旋转中心与基座中心的错位。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：专利文献第4575262号公报。

发明内容

发明所要解决的技术问题

但是，在专利文献1中所记载的结构中，当进行对基座的升温降温处理时如果基座膨胀收缩，则环状沟的底部相对于头部向基座的径向外侧及内侧偏离，有导致基座支承部件的头部从环状沟露出的可能性。在这种情况下，基座从所期望的位置偏离，在基座的中心与基座支承部件的旋转轴偏离的状态下进行气相沉积处理，从而有无法实现外延膜的厚度的均匀化的可能性。

本发明的目的在于提供能够抑制气相沉积处理时基座相对于基座支承部件的错位的气相沉积装置及外延硅晶片的制造方法。

用于解决技术问题的方案

本发明的气相沉积装置，在硅晶片上形成外延膜，其特征在于包括：圆板状的基座，载置所述硅晶片；及基座支承部件，支承所述基座并使其旋转，在所述基座及所述基座支承部件中的一个上设置有多个嵌合沟，在另一个上设置有分别嵌入于所述多个嵌合沟的多个嵌合凸部，在所述嵌合沟中设置：倾斜部，形成为相对于所述基座中的所述硅晶片的载置面倾斜，以所述基座的自身重量来维持所述嵌合凸部与所述倾斜部接触的状态，并使该嵌合凸部相对于该嵌合沟沿所述基座的圆周方向相对移动；及定位部，将由所述倾斜部相对移动的所述嵌合凸部定位于所述圆周方向的特定位置上，所述倾斜部及所述定位部向所述基座的径向连续形成。

根据本发明，嵌合凸部因基座的自身重量向嵌合沟的倾斜部相对移动，并由定位部定位于基座的圆周方向的特定位置上。并且，由于倾斜部及定位部向基座的径向连续形成，因此在基座的热膨胀前后，嵌合凸部定位于基座的圆周方向的特定位置上。因此，能够抑制气相沉积处理时基座相对于基座支承部件的错位。

在本发明的气相沉积装置中，优选所述嵌合凸部中与所述倾斜部的接触部分形成为凸曲面状。

根据本发明，能够抑制嵌合凸部因相对于倾斜部的相对移动而被磨损，并能够抑制基座相对于基座支承部件的随着时间经过的错位。

在本发明的气相沉积装置中，优选所述倾斜部及所述定位部的表面粗糙度Ra为2μm（微米）以下。

根据本发明，能够抑制嵌合凸部因相对于倾斜部及定位部的相对移动而被磨损，并能够抑制基座相对于基座支承部件的随着时间的经过的错位。