[发明专利]气相沉积装置及外延硅晶片的制造方法

权利要求书

1. 一种气相沉积装置，在硅晶片上形成外延膜，其特征在于包括：

圆板状的基座，载置所述硅晶片；及

基座支承部件，支承所述基座并使其旋转，

在所述基座及所述基座支承部件中的一个上设置有多个嵌合沟，在另一个上设置有分别嵌入于所述多个嵌合沟的多个嵌合凸部，

在所述嵌合沟中设置：倾斜部，形成为相对于所述基座中的所述硅晶片的载置面倾斜，以所述基座的自身重量来维持所述嵌合凸部与所述倾斜部接触的状态，并使该嵌合凸部相对于该嵌合沟沿所述基座的圆周方向相对移动；及定位部，将由所述倾斜部相对移动的所述嵌合凸部定位于所述圆周方向的特定位置上，

所述倾斜部及所述定位部向所述基座的径向连续形成。

2.根据权利要求1所述的气相沉积装置，其特征在于，

所述嵌合凸部中与所述倾斜部的接触部分形成为凸曲面状。

3.根据权利要求1或2所述的气相沉积装置，其特征在于，

所述倾斜部及所述定位部的表面粗糙度Ra为2μm以下。

4.一种外延硅晶片的制造方法，在硅晶片上形成外延膜，其特征在于，

利用权利要求1～3中任一项所述的气相沉积装置，在所述硅晶片上形成外延膜。