[发明专利]像素电路和包括该像素电路的有机发光显示装置

说明书

一种像素电路包括有机发光元件、开关晶体管、存储电容器、驱动晶体管和发光晶体管。开关晶体管响应于扫描信号而导通或截止。存储电容器存储在开关晶体管导通时通过数据线施加的数据信号。驱动晶体管允许与存储在存储电容器中的数据信号对应的驱动电流朝向有机发光元件流动。发光晶体管由氧化物薄膜晶体管实现，在高电力电压与低电力电压之间串联连接到有机发光元件和驱动晶体管，并且响应于发光控制信号而导通或截止，其中，像素电路向发光晶体管施加反向偏置电压，以执行用于补偿发光晶体管的阈值电压改变的反向偏置操作。

技术领域

本发明涉及一种显示装置。更具体地，本发明涉及一种包括有机发光元件(例如，有机发光二极管)、存储电容器和薄膜晶体管的像素电路以及一种包括该像素电路的有机发光显示装置。

背景技术

通常，包括在有机发光显示装置中的像素电路包括有机发光元件、存储电容器和薄膜晶体管(例如，开关晶体管、驱动晶体管和发射晶体管等)。这里，在传统的像素电路中，开关晶体管可以由氧化物薄膜晶体管实现，驱动晶体管可以由氧化物薄膜晶体管或低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管实现，因为发射控制晶体管在发光时段期间应保持导通状态，所以发射控制晶体管可以由具有高可靠性的LTPS薄膜晶体管实现。

最近，已经建议将其中所有薄膜晶体管由氧化物薄膜晶体管实现的像素电路应用于移动有机发光显示装置。然而，在该像素电路中，由于发射控制晶体管也由氧化物薄膜晶体管实现，因此发射控制晶体管会随着驱动时间的增加而容易地劣化(例如，当发射控制晶体管是n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管时，发射控制晶体管的阈值电压增加)。因此，在发光时段期间，导通电流会减小，因此即使在相同的条件下，流过有机发光元件的电流也会减小(即，亮度会降低)。

为了解决该问题，传统的像素电路可以通过增加实现发射控制晶体管的氧化物薄膜晶体管的尺寸来确保发射控制晶体管所需的高可靠性。然而，随着发射控制晶体管的尺寸的增加，在布局方面会存在缺点，因此在提高有机发光显示装置的分辨率方面会存在限制。

发明内容

技术问题

本发明的一个目的是提供一种即使当发射控制晶体管由氧化物薄膜晶体管实现且具有相对小的尺寸时也可以确保发射控制晶体管所需的高可靠性的像素电路。

本发明的另一目的是提供一种包括该像素电路的有机发光显示装置，所述像素电路可以确保高的操作可靠性且可以在增加有机发光显示装置的分辨率方面没有因发射控制晶体管的尺寸而受到的限制。

然而，本发明的目的不限于以上目的，并且可以在不脱离本发明的精神和范围的情况下进行不同地扩展。

技术方案

根据实施例，像素电路可以包括：有机发光元件；开关晶体管，被构造为响应于扫描信号而导通或截止；存储电容器，被构造为存储在开关晶体管导通时通过数据线施加的数据信号；驱动晶体管，被构造为允许与存储在存储电容器中的数据信号对应的驱动电流流入有机发光元件中；以及发射控制晶体管，由氧化物薄膜晶体管实现，在高电力电压与低电力电压之间串联连接到有机发光元件和驱动晶体管，并且被构造为响应于发射控制信号而导通或截止。这里，像素电路可以执行通过向发射控制晶体管施加反向偏置电压来补偿发射控制晶体管的阈值电压的改变的反向偏置操作。

在实施例中，开关晶体管和驱动晶体管中的每个可以由氧化物薄膜晶体管或低温多晶硅薄膜晶体管实现。

在实施例中，反向偏置电压可以随着发射控制晶体管的阈值电压的增加或减小而被调节。

在实施例中，发射控制晶体管可以是n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。

在实施例中，反向偏置电压可以具有正电压电平。

在实施例中，反向偏置电压可以是高电力电压。