[发明专利]像素电路和包括该像素电路的有机发光显示装置

权利要求书

1.一种像素电路，所述像素电路包括：

有机发光元件；

开关晶体管，被构造为响应于扫描信号而导通或截止；

存储电容器，被构造为存储在所述开关晶体管导通时通过数据线施加的数据信号；

驱动晶体管，被构造为允许与存储在所述存储电容器中的所述数据信号对应的驱动电流流入所述有机发光元件中；以及

发射控制晶体管，由氧化物薄膜晶体管实现，在高电力电压与低电力电压之间串联连接到所述有机发光元件和所述驱动晶体管，并且被构造为响应于发射控制信号而导通或截止，

其中，所述像素电路执行通过向所述发射控制晶体管施加反向偏置电压来补偿所述发射控制晶体管的阈值电压的改变的反向偏置操作。

2.根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述开关晶体管和所述驱动晶体管中的每个由所述氧化物薄膜晶体管或低温多晶硅薄膜晶体管实现。

3.根据权利要求1所述的像素电路，其中，所述反向偏置电压随着所述发射控制晶体管的所述阈值电压的增加或减小而被调节。

4.根据权利要求3所述的像素电路，其中，所述发射控制晶体管是n沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。

5.根据权利要求4所述的像素电路，其中，所述反向偏置电压具有正电压电平。

6.根据权利要求5所述的像素电路，其中，所述反向偏置电压是所述高电力电压。

7.根据权利要求5所述的像素电路，其中，所述发射控制晶体管的所述阈值电压随着所述发射控制晶体管的驱动时间的增加而增加，并且所述反向偏置电压随着所述发射控制晶体管的所述阈值电压的增加而增加。

8.根据权利要求3所述的像素电路，其中，所述发射控制晶体管是p沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。

9.根据权利要求8所述的像素电路，其中，所述反向偏置电压具有负电压电平。

10.根据权利要求9所述的像素电路，其中，所述反向偏置电压是所述低电力电压。

11.根据权利要求9所述的像素电路，其中，所述发射控制晶体管的所述阈值电压随着所述发射控制晶体管的驱动时间的增加而减小，并且所述反向偏置电压随着所述发射控制晶体管的所述阈值电压的减小而减小。

12.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：

显示面板，包括多个像素电路；

数据驱动器，被构造为将数据信号提供到所述像素电路；

扫描驱动器，被构造为将扫描信号提供到所述像素电路；

发射控制驱动器，被构造为将发射控制信号提供到所述像素电路；以及

时序控制器，被构造为控制所述数据驱动器、所述扫描驱动器和所述发射控制驱动器，

其中，所述像素电路中的每个包括：有机发光元件；开关晶体管，被构造为响应于所述扫描信号而导通或截止；存储电容器，被构造为存储在所述开关晶体管导通时通过数据线施加的所述数据信号；驱动晶体管，被构造为允许与存储在所述存储电容器中的所述数据信号对应的驱动电流流入所述有机发光元件中；以及发射控制晶体管，由氧化物薄膜晶体管实现，在高电力电压与低电力电压之间串联连接到所述有机发光元件和所述驱动晶体管，并且被构造为响应于所述发射控制信号而导通或截止，

其中，所述像素电路中的每个执行通过向所述发射控制晶体管施加反向偏置电压来补偿所述发射控制晶体管的阈值电压的改变的反向偏置操作。

13.根据权利要求12所述的有机发光显示装置，其中，所述开关晶体管和所述驱动晶体管中的每个由所述氧化物薄膜晶体管或低温多晶硅薄膜晶体管实现。