[发明专利]检测装置

权利要求书

1.一种检测装置，具有：

绝缘基板；

多个栅极线，设置于所述绝缘基板，在第一方向上延伸；

多个信号线，设置于所述绝缘基板，在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；

开关元件，与多个所述栅极线及多个所述信号线连接；

第一光电转换元件，具有包含非晶态硅的第一半导体层，与所述开关元件连接；以及

第二光电转换元件，具有包含多晶硅的第二半导体层，与所述开关元件连接。

2.根据权利要求1所述的检测装置，其中，

所述第一光电转换元件及所述第二光电转换元件设置于由多个所述栅极线和多个所述信号线包围的区域。

3.根据权利要求1或2所述的检测装置，其中，

所述第一光电转换元件的阴极电极及所述第二光电转换元件的阴极电极与所述开关元件连接。

4.根据权利要求1或2所述的检测装置，其中，

所述第一光电转换元件的阳极电极及所述第二光电转换元件的阳极电极与所述开关元件连接。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的检测装置，其中，

所述第一半导体层包括p型半导体层、i型半导体层及n型半导体层，

在与所述绝缘基板垂直的方向上，所述i型半导体层设置于所述p型半导体层和所述n型半导体层之间。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的检测装置，其中，

所述第二半导体层包括p区域、i区域及n区域，

俯视观察下，所述i区域设置于所述p区域和所述n区域之间。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的检测装置，其中，具有：

第一层间绝缘膜，设置在多个所述第二光电转换元件的所述第二半导体层上；以及

第二层间绝缘膜，设置在所述第一层间绝缘膜上，

所述第一光电转换元件的阳极电极设置在所述第二层间绝缘膜上。

8.根据权利要求7所述的检测装置，其中，

所述检测装置具有设置在所述第一层间绝缘膜上的中继电极，

所述第二半导体层经由设置于所述第一层间绝缘膜的接触孔与所述中继电极连接，

所述第一光电转换元件的阴极电极设置在所述第一半导体层上，经由设置于所述第二层间绝缘膜的接触孔与所述中继电极连接。

9.根据权利要求7所述的检测装置，其中，

所述检测装置具有设置在所述第一层间绝缘膜上的中继电极，

所述第二半导体层经由设置于所述第一层间绝缘膜的接触孔与所述中继电极连接，

所述第一光电转换元件的阳极电极经由设置于所述第二层间绝缘膜的接触孔与所述中继电极连接。

10.根据权利要求1至6中任一项所述的检测装置，其中，所述检测装置具有：

第一层间绝缘膜，设置在多个所述第二光电转换元件的所述第二半导体层上；以及

第二层间绝缘膜，设置在所述第一层间绝缘膜上，

所述第一光电转换元件的阴极电极设置在所述第二层间绝缘膜上。

11.根据权利要求10所述的检测装置，其中，

所述检测装置具有设置在所述第一层间绝缘膜上的中继电极，

所述第二半导体层经由设置于所述第一层间绝缘膜的接触孔与所述中继电极连接，

所述第一光电转换元件的阳极电极设置在所述第一半导体层上，经由设置于所述第二层间绝缘膜的接触孔与所述中继电极连接。

12.根据权利要求10所述的检测装置，其中，

所述检测装置具有设置在所述第一层间绝缘膜上的中继电极，

所述第二半导体层经由设置于所述第一层间绝缘膜的接触孔与所述中继电极连接，

所述第一光电转换元件的阴极电极经由设置于所述第二层间绝缘膜的接触孔与所述中继电极连接。