[发明专利]光检测装置和光检测装置的制造方法在审
申请号: | 201980081954.0 | 申请日: | 2019-11-29 |
公开(公告)号: | CN113167642A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 园部弘典 | 申请(专利权)人: | 浜松光子学株式会社 |
主分类号: | G01J1/42 | 分类号: | G01J1/42;G01J1/44;H01L31/107 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 杨琦;黄浩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 检测 装置 制造 方法 | ||
光检测装置(1)包括半导体基板(10)。在半导体基板(10)中,在从与主面(10a)正交的方向观察时,APD(11)和温度补偿用二极管(12)彼此隔开间隔地形成。半导体基板(10)在从与主面(10a)正交的方向观察时,在APD(11)与温度补偿用二极管(12)之间具有吸收位于周边的载流子的周边载流子吸收部(13)。在从与主面(10a)正交的方向观察时,在以最短距离连结APD(11)与温度补偿用二极管(12)之间的线段上,APD(11)与周边载流子吸收部(13)之间的最短距离比周边载流子吸收部(13)的边缘(13a、13b)中距APD(11)最近的部分(13c)与温度补偿用二极管(12)之间的最短距离小。
技术领域
本发明涉及光检测装置和光检测装置的制造方法。
背景技术
为了对温度进行稳定的光检测,已知有控制施加于雪崩光电二极管的偏置电压的构成(例如,专利文献1)。在专利文献1中,作为偏置电压对雪崩光电二极管施加有与温度补偿用二极管的击穿电压相应的电压。以下,在本说明书中,将“雪崩光电二极管”称为“APD”。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平07-27607号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在专利文献1中,为了实现针对信号检测用的APD的倍增率的温度补偿,将具有与信号检测用的APD同等的温度特性的APD用作上述温度补偿用二极管。作为信号检测用的APD与温度补偿用二极管的APD的温度特性越接近,则越能提高光检测装置的温度补偿的精度。但是,为了得到所需的温度补偿的精度,需要进行用于选择并组合在放大率与偏置电压的关系方面具有所需的温度特性的APD的检查。因此,难以削减包括具有所需的温度特性的2个APD的光检测装置的制造成本。
本发明的一个方案的目的在于提供可在抑制制造成本的同时提高检测精度的光检测装置。本发明的其他方案的目的在于提供可在抑制制造成本的同时提高检测精度的光检测装置。本发明的另一方案的目的在于提供可在抑制制造成本的同时提高检测精度的光检测装置的制造方法。
用于解决课题的技术方案
在本发明的一个方案的光检测装置中,通过对APD施加与施加于对温度补偿用二极管的击穿电压相应的电压作为偏置电压,而进行APD的倍增率的温度补偿。该光检测装置包括半导体基板。半导体基板具有彼此相对的第一主面和第二主面。在半导体基板,在从与第一主面正交的方向观察时彼此隔开间隔地形成有APD和温度补偿用二极管。半导体基板在从与第一主面正交的方向观察时在APD与温度补偿用二极管之间具有周边载流子吸收部。周边载流子吸收部吸收位于周边的载流子。在从与第一主面正交的方向观察时,在以最短距离连结APD与温度补偿用二极管之间的线段上,APD与周边载流子吸收部之间的最短距离比周边载流子吸收部的边缘中距APD最近的部分与温度补偿用二极管之间的最短距离小。
在上述一个方案中,在同一半导体基板形成有APD和温度补偿用二极管。该情况下,与在不同的半导体基板上形成温度补偿用二极管和APD的情况相比,更易以高精度形成关于放大率和偏置电压的温度特性同等的温度补偿用二极管和APD。因而,可在抑制制造成本的同时,实现针对倍增率的温度补偿。
在对温度补偿用二极管施加有击穿电压的情况下,担心温度补偿用二极管发光。在温度补偿用二极管发光时,会因温度补偿用二极管发出的光而在半导体基板内产生载流子。因此,在于同一半导体基板上形成温度补偿用二极管和APD的状态下,担心该载流子对APD的检测结果造成影响。
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