[发明专利]光检测装置和光检测装置的制造方法

权利要求书

1.一种光检测装置，其特征在于，

包括半导体基板，其具有彼此相对的第一主面和第二主面，并且以在从与所述第一主面正交的方向观察时彼此隔开间隔的方式形成有雪崩光电二极管和温度补偿用二极管，

在从与所述第一主面正交的方向观察时，所述半导体基板在所述雪崩光电二极管与所述温度补偿用二极管之间具有吸收位于周边的载流子的周边载流子吸收部，

在从与所述第一主面正交的方向观察时，在以最短距离连结所述雪崩光电二极管与所述温度补偿用二极管之间的线段上，

所述雪崩光电二极管与所述周边载流子吸收部之间的最短距离比所述周边载流子吸收部的边缘中的距所述雪崩光电二极管最近的部分与所述温度补偿用二极管之间的最短距离小，

通过作为偏置电压对所述雪崩光电二极管施加与施加于所述温度补偿用二极管的击穿电压相应的电压，进行所述雪崩光电二极管的倍增率的温度补偿。

2.如权利要求1所述的光检测装置，其特征在于，包括：

第一电极，其与所述雪崩光电二极管连接，且输出来自该雪崩光电二极管的信号；

第二电极，其与所述温度补偿用二极管连接；和

第三电极，其与所述周边载流子吸收部连接。

3.如权利要求2所述的光检测装置，其特征在于，

包括第四电极，所述雪崩光电二极管、所述温度补偿用二极管、和所述周边载流子吸收部彼此并联地连接于所述第四电极。

4.如权利要求1～3中任一项所述的光检测装置，其特征在于，

所述半导体基板包含第一导电型的半导体区域，

所述雪崩光电二极管和所述温度补偿用二极管分别包括：与所述第一导电型不同的第二导电型的第一半导体层；和位于所述半导体区域与所述第一半导体层之间且杂质浓度比所述半导体区域高的所述第一导电型的第二半导体层。

5.如权利要求4所述的光检测装置，其特征在于，

所述周边载流子吸收部包含所述第二导电型的第三半导体层。

6.如权利要求4所述的光检测装置，其特征在于，

所述周边载流子吸收部包含所述第一导电型的第三半导体层。

7.如权利要求4～6中任一项所述的光检测装置，其特征在于，

在从与所述第一主面正交的方向观察时，在以最短距离连结所述雪崩光电二极管与所述温度补偿用二极管之间的线段上，

所述雪崩光电二极管的所述第一半导体层与所述周边载流子吸收部之间的最短距离比所述周边载流子吸收部的所述部分与所述温度补偿用二极管的所述第一半导体层之间的最短距离小。

8.如权利要求4～7中任一项所述的光检测装置，其特征在于，

在从与所述第一主面正交的方向观察时，在以最短距离连结所述雪崩光电二极管与所述温度补偿用二极管之间的线段上，

所述雪崩光电二极管的所述第二半导体层与所述周边载流子吸收部之间的最短距离比所述周边载流子吸收部的所述部分与所述温度补偿用二极管的所述第二半导体层之间的最短距离小。

9.如权利要求4～8中任一项所述的光检测装置，其特征在于，

所述温度补偿用二极管的所述第二半导体层中的杂质浓度比所述雪崩光电二极管的所述第二半导体层中的杂质浓度高。

10.如权利要求4～8中任一项所述的光检测装置，其特征在于，

所述温度补偿用二极管的所述第二半导体层中的杂质浓度比所述雪崩光电二极管的所述第二半导体层中的杂质浓度低。

11.如权利要求1～10中任一项所述的光检测装置，其特征在于，

在所述半导体基板的所述第一主面侧形成有含有所述雪崩光电二极管的雪崩光电二极管阵列，

在从与所述第一主面正交的方向观察时，所述周边载流子吸收部位于所述雪崩光电二极管阵列与所述温度补偿用二极管之间。