[发明专利]电容器阵列、存储器单元阵列、形成电容器阵列的方法及形成存储器单元阵列的方法

说明书

一种形成电容器阵列的方法包括形成多个水平间隔开的群组，所述多个水平间隔开的群组个别地包括上方具有电容器绝缘体的多个水平间隔开的下部电容器电极。所述群组中的邻近者比所述群组内的所述下部电容器电极中的邻近者水平间隔开更远。空隙空间位于所述邻近群组之间。在所述空隙空间中以及在所述群组中在所述电容器绝缘体及所述下部电容器电极上方形成上部电容器电极材料。所述空隙空间中的所述上部电容器电极材料与所述邻近群组中的所述上部电容器电极材料相对于彼此连接。所述上部电容器电极材料未填满所述空隙空间。从所述空隙空间移除所述上部电容器电极材料的至少一部分以将所述邻近群组中的所述上部电容器电极材料相对于彼此断开连接。在所述群组中的个别者中的所述上部电容器电极材料的顶部上形成水平伸长的导电线，所述水平伸长的导电线直接电耦合到所述上部电容器电极材料。本发明揭示其它方法，包含不依赖于制造方法的结构。

技术领域

本文中所揭示的实施例涉及电容器阵列，涉及存储器单元阵列，涉及形成电容器阵列的方法，且涉及形成存储器单元阵列的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路系统，且在计算机系统中用于存储数据。存储器可经制作于个别存储器单元的一或多个阵列中。可使用数字线(其也可称为位线、数据线或感测线)及存取线(其也可称为字线)对存储器单元进行写入或读取。所述数字线可使存储器单元沿着阵列的列以导电方式互连，且所述存取线可使存储器单元沿着阵列的行以导电方式互连。可通过数字线与存取线的组合对每一存储器单元进行唯一地寻址。

存储器单元可为易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不存在电力的情况下存储数据达延长时间周期。非易失性存储器常规地经指定为具有至少大约10年的保持时间的存储器。易失性存储器耗散且因此经刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更少的保持时间。不管怎样，存储器单元经配置以在至少两种不同可选择状态中存留或存储存储器。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两个电平或状态的信息。

电容器是可在存储器单元中使用的一种类型的电子组件。电容器具有通过电绝缘材料分开的两个电导体。作为电场的能量可静电地存储于此材料内。取决于绝缘体材料的组合物，所述所存储场将是易失性的或非易失性的。举例来说，仅包含SiO₂的电容器绝缘体材料将是易失性的。一个类型的非易失性电容器是具有铁电材料作为绝缘材料的至少一部分的铁电电容器。铁电材料通过具有两个稳定经极化状态来表征且借此可包括电容器及/或存储器单元的可编程材料。铁电材料的极化状态可通过施加适合编程电压而改变且在移除编程电压(至少一段时间)之后保持不变。每一极化状态具有彼此不同的电荷存储电容，且所述电荷存储电容理想地可用于写入(即，存储)及读取存储器状态而不颠倒极化状态直到期望颠倒此极化状态为止。不太合意的是，在具有铁电电容器的某一存储器中，读取存储器状态的行动可颠倒极化。因此，在确定极化状态时，进行存储器单元的重写以紧接在极化状态的确定之后将存储器单元置于预读取状态中。不管怎样，并入有铁电电容器的存储器单元由于形成电容器的一部分的铁电材料的双稳态特性而理想地是非易失性的。其它可编程材料可用作电容器绝缘体以使电容器为非易失性的。

场效晶体管是可在存储器单元中使用的另一类型电子组件。这些晶体管包括在其之间具有半导电沟道区域的一对导电源极/漏极区域。导电栅极邻近所述沟道区域且通过薄栅极绝缘体与所述沟道区域分开。将适合电压施加到栅极允许电流通过沟道区域从源极/漏极区域中的一者流动到另一者。当从栅极移除电压时，很大程度上阻止电流流动穿过沟道区域。场效晶体管也可包含额外结构(举例来说，可逆地可编程电荷存储区域)作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的一部分。不管怎样，栅极绝缘体可为可编程的，举例来说是铁电的。

当然，电容器及晶体管可在除存储器电路系统以外的集成电路系统中使用。

附图说明

图1是在根据本发明的一些实施例的过程中的构造的一部分的图解横截面视图且是穿过图3中的线1-1截取的。

图2是穿过图3中的线2-2截取的视图。