[发明专利]电容器阵列、存储器单元阵列、形成电容器阵列的方法及形成存储器单元阵列的方法

权利要求书

1.一种形成电容器阵列的方法，其包括：

形成多个水平间隔开的群组，所述多个水平间隔开的群组个别地包括上方具有电容器绝缘体的多个水平间隔开的下部电容器电极，所述群组中的邻近者比所述群组内的所述下部电容器电极中的邻近者水平间隔开更远，空隙空间位于所述邻近群组之间；

在所述空隙空间中以及在所述群组中在所述电容器绝缘体及所述下部电容器电极上方形成上部电容器电极材料，所述空隙空间中的所述上部电容器电极材料与所述邻近群组中的所述上部电容器电极材料相对于彼此连接，所述上部电容器电极材料未填满所述空隙空间；

从所述空隙空间移除所述上部电容器电极材料的至少一部分以将所述邻近群组中的所述上部电容器电极材料相对于彼此断开连接；及

在所述群组中的个别者中的所述上部电容器电极材料的顶部上形成水平伸长的导电线，所述水平伸长的导电线直接电耦合到所述上部电容器电极材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述上部电容器电极材料具有不多于所述空隙空间的最小水平宽度的三分之一的厚度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述厚度不多于所述最小水平宽度的四分之一。

4.根据权利要求3所述的方法，其中所述厚度不多于所述最小水平宽度的五分之一。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述移除使所述上部电容器电极材料形成为对于所述个别群组内的所有电容器共同的上部电容器电极；所述个别群组内的所述电容器个别地包括相应个别群组中的所述下部电容器电极中的一者、所述电容器绝缘体及所述共同上部电容器电极。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述下部电容器电极是柱。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，

所述空隙空间是在列方向上水平伸长的；

所述个别群组中的所述下部电容器电极在正交于所述列方向的行方向上排列成水平伸长行；且

所述空隙空间在所述行方向上具有是所述下部电容器电极在所述行方向上的最大间距的至少两倍的最小宽度。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述个别群组中的所述下部电容器电极排列成2D布拉维晶格。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述晶格是矩形或正方形的。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述电容器绝缘体是铁电的。

11.根据权利要求1所述的方法，其包括沿着所述空隙空间的侧壁形成所述上部电容器电极材料。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述电容器绝缘体全部跨越所述空隙空间的基底横向延伸。

13.根据权利要求12所述的方法，其中所述电容器绝缘体具有比所述下部电容器电极中的个别者的水平厚度小的厚度。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述移除包括在所述群组及所述空隙空间上方无掩模的各向异性蚀刻。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，

所述电容器绝缘体跨越所述空隙空间的基底横向延伸；

在跨越所述空隙空间的所述基底横向延伸的所述电容器绝缘体的所述部分的顶部上形成所述上部电容器电极材料；且

所述无掩模的各向异性蚀刻从跨越所述空隙空间的所述基底横向延伸的所述电容器绝缘体的所述部分的中央部分上方移除所述上部电容器电极材料。