[发明专利]具有被屏蔽板装置遮盖的进气机构的CVD反应器

说明书

本发明涉及一种CVD反应器(1)，包括：能被加热装置(4)加热到处理温度的用于容纳待处理的基板(3)的基座(2)，用于将处理气体导入布置在遮盖进气机构(5)的出气面(9’)的透气的屏蔽板(10)与基座(2)之间的处理室(12)的进气机构(5)。按本发明建议，屏蔽板(10)的边缘区域(19)被支撑环(20)这样地支撑，使得支撑面位于基座(2)的侧壁(27)外部。

技术领域

本发明涉及一种CVD反应器，包括：能被加热装置加热到处理温度的用于容纳待处理的基板的基座；用于将处理气体导入布置在遮盖进气机构的出气面的透气的屏蔽板与基座之间的处理室中的进气机构；包围基座的侧壁的、朝径向外部由管状的导气主体限定边界的出气通道。

本发明还涉及一种用于CVD反应器的屏蔽板装置。

背景技术

前述类型的CVD反应器例如从美国专利文献US9587312中已知并且被用于在基板上沉积半导体层，其中，尤其是在AlGaN材料体系中，在超过1300℃处理温度下进行工作。进气机构的出气面在此借助冷却剂被冷却，使得表面温度最高达到200℃。进气机构的出气面被屏蔽板遮盖，例如借助通气开口使该屏蔽板成为可透气的。该屏蔽板一方面用作隔热板，另一方面用作反应器-内衬的替换体，在反应器-内衬上可以沉积寄生涂层。

此外，属于现有技术的是专利文献DE102006018515Al、US6，565，661Bl、US2008/0196666Al、US2011/0290183Al、US2017/0345626Al、US2017/0372910Al、US2018/0171472Al。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，在操作技术上改进CVD反应器。

该技术问题通过权利要求中描述的技术方案解决。

从属权利要求不仅是独立权利要求的有利扩展，而且还是这些技术问题的独立解决方案。