[发明专利]具有被屏蔽板装置遮盖的进气机构的CVD反应器

权利要求书

1.一种CVD反应器(1)，包括：能被加热装置(4)加热到处理温度的用于容纳待处理的基板(3)的基座(2)；进气机构(5)，所述进气机构(5)与被液态冷却剂冷却的入口板(9)一起构成出气面(9')；和布置在出气面(9')和处理室(12)之间的透气的屏蔽板(10)，所述屏蔽板(10)用于将处理气体导入布置在遮盖出气面(9')的屏蔽板(10)与基座(2)之间的处理室(12)中，其中，由石墨、涂层的石墨或石英构成的屏蔽板(10)的边缘区域(19)被支撑环(20)支撑。

2.一种CVD反应器(1)，包括：能被加热装置(4)加热到处理温度的用于容纳待处理的基板(3)的基座(2)；进气机构(5)，所述进气机构(5)与被液态冷却剂冷却的入口板(9)一起构成出气面(9')；和布置在出气面(9')和处理室(12)之间的透气的屏蔽板(10)，所述屏蔽板(10)用于将处理气体导入布置在遮盖出气面(9')的屏蔽板(10)与基座(2)之间的处理室(12)中；包围基座(2)的侧壁(27)的、朝径向外部由管状的导气主体(14)限定边界的出气通道(13)，其中，由石墨、涂层的石墨或石英构成的屏蔽板(10)的外部边缘被支撑元件(20)的区段(21)支撑，屏蔽板(10)的边缘支撑在所述区段(21)上以构成支撑面，其中，全部的边缘侧的支撑面布置在基座(2)的侧壁(27)的径向外部并且布置在出气通道(13)的竖直上方。

3.按前述权利要求之一所述的CVD反应器，其特征在于，具有从支撑环或支撑元件(20)径向向内突出的舌片(21)，所述舌片(21)在彼此间隔的周向位置处从下方与屏蔽板(10)接合并且尤其是嵌接到屏蔽板(10)的边缘区域(19)的夹室(16)中。

4.按前述权利要求之一所述的CVD反应器，其特征在于，所述支撑环(20)或所述支撑元件借助固定元件(22)固定在所述进气机构(5)上或反应器盖上。

5.按前述权利要求之一所述的CVD反应器，其特征在于，具有布置在导气主体(14)的上侧和形成支撑元件的支撑环(20)之间的密封圈(17)，所述密封圈(17)尤其是布置在导气主体(14)的凹处中并且尤其由石英构成。

6.按前述权利要求之一所述的CVD反应器，其特征在于，用于固定支撑环(20)的固定元件(22)布置在导气主体(14)的径向外部和/或由弹簧元件形成。

7.一种在尤其按前述权利要求之一所述的CVD反应器(1)中使用的屏蔽板装置，其具有带有圆盘形的通气开口(11)的屏蔽板(10)和能固定在CVD反应器(1)的进气机构(5)或盖上的支撑环(20)，所述支撑环(20)包围屏蔽板(10)并且至少局部区域从下方接合屏蔽板(10)的边缘(19)。

8.按权利要求7所述的屏蔽板装置，其特征在于，屏蔽板(10)的边缘区域(19)构成材料厚度减小的夹室(16)，支撑环(20)的舌片(21)嵌接到所述夹室(16)中。

9.按权利要求7或8所述的屏蔽板装置的应用，其特征在于，将所述基座(2)加热到高于1300℃的处理温度并且将进气机构(5)的出气面(9')保持在不高于200℃的温度，并且其中，AlGaN沉积在CVD反应器(1)的内部。

10.一种CVD反应器或屏蔽板装置或应用，其特征在于，具有前述权利要求之一的一个或多个特征。