[发明专利]处置和处理易碎基板上的双面装置在审
申请号: | 201980079480.6 | 申请日: | 2019-12-13 |
公开(公告)号: | CN113169110A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 韦恩·麦克米兰;维斯韦斯瓦伦·西瓦拉玛克里施南;约瑟夫·C·奥尔森;卢多维克·戈代;罗格·梅耶·蒂默曼·蒂杰森;拿玛·阿加曼 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01J37/32;H01L21/687 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 处置 处理 易碎 基板上 双面 装置 | ||
1.一种基板支撑组件,包括:
多个突出部,所述多个突出部耦接至所述基板支撑组件的主体,所述多个突出部的每一者具有支撑表面,所述支撑表面对应于待保持在所述支撑表面上的基板的表面的一部分;和
多个袋部,所述多个袋部由所述多个突出部中的相邻突出部界定,所述多个袋部的每一者具有:
袋部宽度,所述袋部宽度对应于待保持在所述支撑表面上的所述基板的所述表面上所设置的一个或多个装置的宽度;
袋部长度,所述袋部长度对应于待保持在所述支撑表面上的所述基板的所述表面上所设置的所述一个或多个装置的长度;和
袋部导管,所述袋部导管可操作以经由真空流量控制器而与真空源流体连通,且可操作以经由气体流量控制器而与气源流体连通。
2.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述气源可操作地提供气体通过相应的袋部导管到相应的袋部,以执行以下操作中的至少一个:
加压由所述基板、相邻的突出部和所述基板支撑组件的所述主体所界定的相应区域;
将所述基板维持于低温处理温度;和
从所述突出部的所述支撑表面释放所述基板的所述部分。
3.如权利要求2所述的基板支撑组件,其中所述气源是惰性气源。
4.如权利要求3所述的基板支撑组件,其中所述惰性气源的惰性气体具有小于-50摄氏度的低温温度。
5.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述多个突出部的每一者包括:
吸附电极,所述吸附电极设置在所述多个突出部的每一者中且可耦接至电源。
6.如权利要求5所述的基板支撑组件,其中所述吸附电极以单极或双极电极布置方式来配置。
7.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述主体和所述突出部包括不锈钢和/或含铝的材料。
8.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述袋部宽度和所述袋部长度为约20毫米(mm)至约60mm。
9.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述多个袋部的深度为约0.5mm至1mm。
10.如权利要求1所述的基板支撑组件,其中所述多个袋部的深度为约0.02mm或更少。
11.一种基板支撑组件,包括:
边缘环,所述边缘环耦接至板,所述边缘环具有支撑表面,所述支撑表面对应于待保持在所述支撑表面上的基板的表面的一部分;
多个像素,所述多个像素耦接至多个致动机构,所述多个致动机构耦接至所述基板支撑组件,所述多个像素的每一者对应于所述多个致动机构中的一个致动机构;和
控制器,所述控制器耦接至每个致动机构,使得与待保持的所述基板的所述表面的所述部分相对应的像素的部分经定位以支撑所述部分,而不接触在待保持在所述支撑表面上的所述基板的所述表面上所设置的一个或多个装置。
12.如权利要求11所述的基板支撑组件,其中所述板包括多个沟道。
13.如权利要求12所述的基板支撑组件,其中所述多个沟道中的每个沟道耦接至沟道导管,所述沟道导管可操作以经由真空流量控制器而与真空源流体连通,且可操作以经由气体流量控制器而与气源流体连通。
14.如权利要求11所述的基板支撑组件,其中所述边缘环包括吸附电极,所述吸附电极设置在所述边缘环中且可耦接至电源。
15.一种基板支撑组件,包括:
边缘环,所述边缘环耦接至板,所述边缘环具有支撑表面,所述支撑表面对应于待保持在所述支撑表面上的基板的表面的一部分;
多个像素;和
像素支撑板,所述像素支撑板耦接至致动机构,所述像素支撑板具有与待保持的所述基板的所述表面的所述部分的一个或多个装置相对应的多个孔的图案,使得所述多个像素中的每个像素升起到不会接触所述一个或多个装置的支撑位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造