[发明专利]制造器件的方法在审
| 申请号: | 201980079479.3 | 申请日: | 2019-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN113168115A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
| 发明(设计)人: | A·史拉奇特;W·T·特尔;D·M·斯劳特布姆;V·Y·蒂莫斯科夫;K·W·C·A·范德斯特拉顿;B·门奇奇科夫;西蒙·飞利浦·斯宾塞·哈斯廷斯;C·E·塔贝里;M·P·F·格宁;张幼平;邹毅;林晨希;程亚娜 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 胡良均 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制造 器件 方法 | ||
一种用于分析过程的方法,该方法包括:获得表示多个过程参数的值的期望分布的多维概率密度函数;获得将过程参数的值与过程的性能度量相关的性能函数;以及使用性能函数将概率密度函数映射到以过程参数作为自变量的性能概率函数。
本申请要求于2018年12月3日提交的美国申请62/774,480和于2019年3月6日提交的美国申请62/814,544的优先权,其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本说明书涉及尤其是使用光刻过程来制造器件的方法,并且涉及制造过程的分析和控制。
背景技术
持续地需要制造具有更小特征的器件,例如集成电路。集成电路和其他微型器件通常使用光学光刻术来制造,但是诸如压印光刻、电子束光刻和纳米级自组装等其他制造技术也是已知的。
发明内容
当使用例如光刻术印刷图案时,可以改变曝光的一个或多个各种参数,例如聚焦和剂量,以影响印刷的图案的特性,诸如CD和CDU。类似地,过程步骤的一个或多个参数(例如,蚀刻时间)也可以变化。常规地,过程选配方案(其指定将在特定图案的曝光和后续过程步骤期间要使用的可控制参数的值)被优化以使产率最大化。产率通常定义为正确印刷的器件的比例。在某些情况下,曝光选配方案可以被优化以使产出(即,衬底的曝光速率)最大化。在某些情况下,曝光选配方案被优化以使过程窗口(即,一个或多个控制参数可以从其名义值变化同时仍获得有效曝光的公差)最大化。
然而,优化过程选配方案通常涉及各种经验法则或最佳实践,因为完全表征改变曝光和后续过程步骤的所有可变参数的影响涉及及其大量的试验曝光和测量或模拟。
需要用于优化和控制器件制造方法的改进方法。
根据一个实施例,提供了一种用于分析过程的方法,该方法包括:获得表示多个过程参数的值的期望分布的多维概率函数;获得将过程参数的值与过程的性能度量相关的性能函数;以及使用性能函数将多维概率函数映射到以过程参数作为自变量的性能概率函数。
根据一个实施例,提供了一种器件制造方法,该方法包括:曝光衬底上的辐射敏感层以在其中形成潜像;显影辐射敏感层以定影潜像;以及将定影图像转印到衬底上,其中曝光、显影和/或转印是使用通过上述方法确定的名义过程设置的集合来执行的。
根据一个实施例,提供了一种器件制造方法,该方法包括:曝光衬底上的辐射敏感层以在其中形成潜像;显影辐射敏感层以将潜像定影为显影图像;将定影图像转印到衬底上以形成器件特征或测量目标;测量潜像、显影图像、器件特征和/或测量目标的特性;以及使用根据上述方法确定的性能概率函数和所测量的特性来确定用于后续曝光、显影和/或转印步骤的过程设置。
根据一个实施例,提供了一种计算机程序,该计算机程序包括指令,该指令在由一个或多个计算机和/或光刻工具执行时指示计算机和/或光刻工具执行本文中描述的方法。
附图说明
现在将仅通过示例的方式参考所附的示意图来描述本发明的实施例,在附图中:
图1描绘了光刻单元;
图2描绘了光刻设备;
图3描绘了量测设备的示意性概图;
图4描绘了整体光刻方法;
图5描绘了在蚀刻步骤中改变蚀刻时间对临界尺寸(CD)的影响;
图6(a)、6(b)、6(c)和6(d)描绘了器件制造方法;
图7是示出在所制造的具有特定协方差矩阵的器件中的重叠和CD值的示例性多元正态分布的图;
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