[发明专利]制造器件的方法在审
| 申请号: | 201980079479.3 | 申请日: | 2019-10-30 |
| 公开(公告)号: | CN113168115A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
| 发明(设计)人: | A·史拉奇特;W·T·特尔;D·M·斯劳特布姆;V·Y·蒂莫斯科夫;K·W·C·A·范德斯特拉顿;B·门奇奇科夫;西蒙·飞利浦·斯宾塞·哈斯廷斯;C·E·塔贝里;M·P·F·格宁;张幼平;邹毅;林晨希;程亚娜 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 胡良均 |
| 地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 制造 器件 方法 | ||
1.一种用于分析过程的方法,所述方法包括:
获得表示多个过程参数的值的期望分布的多维概率密度函数;
获得将所述过程参数的值与所述过程的性能度量相关的性能函数;以及
使用所述性能函数将所述多维概率密度函数映射到以所述过程参数作为自变量的性能概率函数。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述过程是光刻过程,并且所述过程参数选自由以下构成的组:聚焦、剂量、重叠、像差、与光刻设备的台的移动有关的参数、光瞳强度分布和源带宽。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述过程包括将图案转印到所述衬底,并且所述过程参数选自由以下构成的组:RF功率(每频率)、衬底温度、等离子体中的(部分)气压、等离子体的组成、CMP压力、CMP抛光例程、蚀刻时间和沉积厚度。
4.根据权利要求1所述的方法,其中获得多维概率密度函数包括:在多个已处理衬底上测量所述过程参数的值,或者模拟执行所述过程多次。
5.根据权利要求1所述的方法,其中获得多维概率密度函数包括训练机器学习算法。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述过程参数具有正态分布和/或至少部分相关。
7.根据权利要求1所述的方法,其中所述性能函数是非线性的。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述性能度量选自由以下构成的组:边缘位置误差、临界尺寸和临界尺寸均匀性。
9.根据权利要求1所述的方法,还包括识别所述性能概率函数满足标准的所述过程参数的一个或多个范围。
10.根据权利要求9所述的方法,还包括通过在所述过程参数的所述一个或多个范围的一个或多个边缘处执行曝光并且测量与作为所述曝光的结果而形成的一个或多个特征相关联的失效率来校准与所述过程参数相关联的过程窗口。
11.根据权利要求9所述的方法,还包括基于所述过程参数的所识别的一个或多个范围来选择过程设置。
12.根据权利要求1所述的方法,还包括分析所述性能概率函数以确定将会提高产率的对所述性能函数和/或所述多维概率密度函数的改变。
13.根据权利要求1所述的方法,其中在获得多维概率密度函数的步骤之前是基于所述过程参数的值的预期统计分布的特性来选择所述过程参数的步骤。
14.根据权利要求13所述的方法,其中所述特性是与正态分布的预期相似度。
15.一种包括指令的计算机程序,所述指令在由一个或多个计算机和/或一个或多个处理工具执行时指示所述一个或多个计算机和/或所述一个或多个处理工具执行根据权利要求1所述的方法。
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