[发明专利]减少半导体结构中有效氧化物厚度的方法在审
| 申请号： | 201980078769.6 | 申请日： | 2019-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN113169096A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李鲁平;陈世忠;大东和也;董琳;陈哲波;杨逸雄;史蒂文·洪 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减少 半导体 结构 有效 氧化物 厚度 方法 | ||
1.一种用于形成具有减小的有效氧化物厚度的半导体结构的方法，包含以下步骤：
在氮化钛(TiN)层的顶上沉积具有顶表面的非晶硅覆盖层，其中所述氮化钛层在设置在膜堆叠物内的高k介电层的顶上；
使所述非晶硅覆盖层的所述顶表面与含氮气体接触；以及
将所述膜堆叠物退火。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述含氮气体包含肼蒸气。
3.如权利要求1或2所述的方法，其中所述含氮气体在约300摄氏度至约600摄氏度的温度接触所述非晶硅覆盖层的顶表面。
4.如权利要求1至3所述的方法，其中所述含氮气体在约450摄氏度至约500摄氏度的温度接触所述非晶硅覆盖层的顶表面。
5.如权利要求1至4任一所述的方法，其中所述含氮气体接触所述非晶硅覆盖层的顶表面约30秒至约5分钟。
6.如权利要求1至5任一所述的方法，其中退火是在约700至1000摄氏度的温度进行的。
7.如权利要求1至6任一所述的方法，其中继退火之后，进一步包含以下步骤：蚀刻所述非晶硅覆盖层。
8.如权利要求1至7任一所述的方法，进一步包含以下步骤：蚀刻所述非晶硅覆盖层，其中继蚀刻之后，将所述膜堆叠物的有效氧化物厚度减小约0.5至2.0埃。
9.如权利要求1至8任一所述的方法，其中所述非晶硅覆盖层具有20至50埃的厚度。
10.如权利要求1至9任一所述的方法，其中所述氮化钛层具有约10至20埃的厚度。
11.如权利要求1至10任一所述的方法，其中所述高k介电层具有约10埃至30埃的厚度。
12.一种减小膜堆叠物的有效氧化物厚度的方法，包含以下步骤：
在氮化钛(TiN)层的顶上沉积具有顶表面的非晶硅覆盖层，其中所述氮化钛层在设置在膜堆叠物内的高k介电层的顶上；
使所述非晶硅覆盖层的所述顶表面与含氮气体接触；以及
将所述膜堆叠物退火。
13.如权利要求12所述的方法，其中继所述退火之后，将所述膜堆叠物的有效氧化物厚度减小约0.5至约2埃。
14.如权利要求12或13所述的方法，其中所述含氮气体包含肼。
15.一种非暂时性计算机可读介质，具有储存在所述非暂时性计算机可读介质上的多个指令，当所述多个指令被执行时，使得用于形成具有减小的有效氧化物厚度的半导体结构的方法发生，所述方法包含以下步骤：在氮化钛(TiN)层的顶上沉积具有顶表面的非晶硅覆盖层，其中所述氮化钛层在设置在膜堆叠物内的高k介电层的顶上；使所述非晶硅覆盖层的所述顶表面与含氮气体接触；以及将所述膜堆叠物退火。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
